[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构

说明书

本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构。所述制造方法包括：提供待布线结构，待布线结构包括至少一个芯片，芯片具有正面，芯片的正面设有多个焊垫；在芯片的正面形成第一绝缘层，第一绝缘层设有多个开口，每一开口暴露一个焊垫的至少部分；在第一绝缘层背离芯片的一侧形成导电膜层，导电膜层覆盖第一绝缘层背离芯片的表面及焊垫被所述开口暴露的部分，且导电膜层位于第一绝缘层背离芯片一侧的部分的厚度小于导电膜层覆盖焊垫的部分的厚度；将导电膜层超出第一绝缘层的部分去除，得到位于开口内且与焊垫直接接触的导电结构；在第一绝缘层背离芯片的一侧形成再布线结构，再布线结构与导电结构电连接。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。

背景技术

半导体结构通常包括芯片及位于芯片正面的再布线层，芯片的正面设有焊垫及位于焊垫上的绝缘层，绝缘层设有暴露焊垫的开口，再布线层通过开口内的导电结构与焊垫电连接。常见的半导体结构的制造技术中，再布线层及导电部同时形成。

现有的半导体结构的制造技术得到的半导体结构的良率较低。

发明内容

本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构。

本申请实施例的第一方面提供了一种半导体结构的制造方法。所述半导体结构的制造方法包括：

提供待布线结构，所述待布线结构包括至少一个芯片，所述芯片具有正面，所述芯片的正面设有多个焊垫；

在所述芯片的正面形成第一绝缘层，所述第一绝缘层设有多个开口，每一所述开口暴露一个所述焊垫的至少部分；

在所述第一绝缘层背离所述芯片的一侧形成导电膜层，所述导电膜层覆盖所述第一绝缘层背离所述芯片的表面及所述焊垫被所述开口暴露的部分，且所述导电膜层位于所述第一绝缘层背离所述芯片一侧的部分的厚度小于所述导电膜层覆盖所述焊垫的部分的厚度；

将所述导电膜层超出所述第一绝缘层的部分去除，得到位于所述开口内且与所述焊垫直接接触的导电结构；

在所述第一绝缘层背离所述芯片的一侧形成再布线结构，所述再布线结构与所述导电结构电连接。

在一个实施例中，所述待布线结构包括多个所述芯片；所述提供待布线结构，包括：

提供晶圆结构，所晶圆结构包括多个相连的所述芯片。

在一个实施例中，所述在所述芯片的正面形成第一绝缘层之后，所述半导体结构的制造方法还包括：

对所述晶圆结构进行切割，得到多个半导体中间结构，所述半导体中间结构包括至少一个所述芯片；

将所述半导体中间结构贴装在第一载板上，所述第一绝缘层朝向所述第一载板；

形成塑封层，所述塑封层至少覆盖所述半导体中间结构的侧面；

剥离所述第一载板，得到塑封结构；

将所述塑封结构贴装在第二载板上，所述第一绝缘层背离所述第二载板。

在一个实施例中，所述提供待布线结构，包括：

提供硅基板及芯片，所述硅基板设有凹槽，所述芯片的正面背离所述凹槽的底部；

将所述芯片放置于所述凹槽内；

在所述芯片与所述凹槽的侧壁之间填充胶体材料，并固化所述胶体材料，形成介电层。

在一个实施例中，所述提供待布线结构，包括：提供第三载板及多个所述芯片，将多个所述芯片贴装在第三载板上，所述芯片的正面背离所述第三载板；