[发明专利]晶圆清洗机构

说明书

本发明提供了一种晶圆清洗机构，用于对晶圆进行清洗，所述晶圆的表面贴附有承载膜，包括：绷膜环、清洗槽及清洗支架；其中，所述清洗支架用于固定所述绷膜环，所述清洗槽位于所述绷膜环下方，所述承载膜贴附于所述绷膜环上，所述晶圆位于所述绷膜环的内环面内且所述晶圆的边缘与所述绷膜环的内环面之间具有间隙，所述晶圆朝向所述清洗槽并浸入所述清洗槽内的清洗液中。本发明在所述晶圆的清洗过程中，由于所述清洗液不接触所述承载膜的表面，从而避免所述清洗液与所述承载膜发生物理化学反应导致所述晶圆受污染，并保证了所述晶圆的清洗洁净度且工艺兼容性高。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗机构。

背景技术

在传统后段封装，晶圆的切割、减薄、后续扩膜、贴片工艺通常需要将晶圆固定在蓝膜或UV膜上。在芯片和晶圆(C2W)的混合键合工艺中，传统后段封装的切割、减薄、扩膜、贴片工艺会对应转移到前段半导体制造工艺，在一些工艺后，需要对晶圆进行清洗，比如在晶圆切割后，需要对晶圆进行清洗去除晶圆表面切割时的残留物；在晶圆的一些临时键合后，也需要对晶圆进行清洗去除晶圆表面残留的键合胶等情况。而晶圆的清洗会涉及到有机溶剂清洗，甚至是多种有机溶剂的组合清洗，这给蓝膜或UV膜的耐溶剂性能带来了巨大的挑战。在晶圆采用有机溶剂清洗过程中，很有可能对蓝膜或UV膜造成损伤，并且有机溶剂会与蓝膜或UV膜产生化学反应污染晶圆。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆清洗机构，避免在晶圆清洗过程中对晶圆产生污染。

为了达到上述目的，本发明提供了一种晶圆清洗机构，用于对晶圆进行清洗，所述晶圆的表面贴附有承载膜，包括：绷膜环、清洗槽及清洗支架；

其中，所述清洗支架用于固定所述绷膜环，所述清洗槽位于所述绷膜环下方，所述承载膜贴附于所述绷膜环上，所述晶圆位于所述绷膜环的内环面内且所述晶圆的边缘与所述绷膜环的内环面之间具有间隙，所述晶圆朝向所述清洗槽并浸入所述清洗槽内的清洗液中。

可选的，所述晶圆的厚度小于等于775um。

可选的，所述晶圆的部分厚度浸入所述清洗液中，以使所述承载膜与所述清洗液分离。

可选的，所述晶圆的重力小于所述承载膜对所述晶圆的黏着力。

可选的，所述承载膜的黏力为10N～16N。

可选的，所述清洗槽的槽壁的厚度小于所述晶圆的边缘与所述绷膜环的内环面之间具有的间隙。

可选的，所述晶圆的边缘与所述清洗槽的槽壁之间的距离为10mm～30mm。

可选的，所述承载膜包括UV膜或蓝膜。

可选的，所述清洗液为有机溶剂。

可选的，所述清洗支架的形状为环形，所述绷膜环固定在所述清洗支架的上方，所述清洗槽位于所述清洗支架的内环面内，且所述清洗槽的槽壁与所述清洗支架的内环面及所述绷膜环的内环面之间均具有间隙。

在本发明提供的晶圆清洗机构中，所述晶圆的表面贴附有所述承载膜，所述清洗支架用于固定所述绷膜环，所述清洗槽位于所述绷膜环下方，所述承载膜贴附于所述绷膜环上，所述晶圆位于所述绷膜环的内环面内且所述晶圆的边缘与所述绷膜环的内环面之间具有间隙，所述晶圆朝向所述清洗槽并浸入所述清洗槽内的清洗液中，所述晶圆被浸没的表面与所述清洗液反应，从而使所述晶圆得到清洗，在所述晶圆的清洗过程中，通过控制清洗液的容量，使所述清洗液不接触所述承载膜的表面，从而避免所述清洗液与所述承载膜发生物理化学反应导致所述晶圆受污染，并保证了所述晶圆的清洗洁净度且工艺兼容性高。

附图说明

图1为一种晶圆清洗机构的结构示意图；

图2为另一种晶圆清洗机构的结构示意图；