[发明专利]高密度ITO靶材粉末的处理方法

说明书

本发明提供一种高密度ITO靶材粉末的处理方法，通过先对氧化锡粉末加入到砂磨机添加去离子水、分散剂和添加剂进行预磨，再将氧化锡浆料与氧化铟粉末添加去离子水、分散剂和添加剂进行砂磨，步骤二的分散剂添加量/步骤二+步骤三的分散剂添加量≤40%，这样采用一次混合成浆，周期短，密度提升明显，提升客户产品性能和使用效能。

技术领域

本发明涉及ITO靶材领域，尤其涉及一种高密度ITO靶材粉末的处理方法。

背景技术

ITO靶材是N型半导体材料——氧化铟锡的烧结体，通过磁控溅射得到的ITO薄膜具有优良的透光性、导电性，其加工性能好、硬度高、耐蚀。在薄膜晶体管(TFT)、平板液晶显示(LCD)、太阳能电池、功能玻璃等领域得到了广泛应用。在ITO靶材高密度、大尺寸、低结瘤、低电阻这几项主要指标中，高密度是首要因素，是决定能否正常使用，获得具有良好ITO薄膜性能的关键因素。

在目前主流的ITO靶材生产工艺中，毫无例外的均有粉末处理工序，该工序对于高致密度ITO靶影响在整体产线中几乎是决定性的，所以保证高致密度ITO靶材的重要性不言而喻。现有技术专利CN104944964B 公开了一种降低烧结条件制备高密度ITO靶材的方法，在初期ITO浆料的制备中需先制备出第一预混液并使用到球磨机，在低温干燥制备二次料中使用到烘箱，在ITO浆料的制备中需先制备出第二预混液并再次使用到球磨机，在ITO坯体的成型加工中采用了注浆成型法并以压缩空气为传压介质，在ITO坯体的烧结加工中采用了常压氧气氛条件，高固相含量的ITO浆料是制备高密度ITO坯体的必要条件之一，制备出的ITO坯体通过排汞法测量其相对密度可达74~76%，而二次料的球磨使ITO浆料的固相含量达到89~91%，较好的粘度流动性和较低的烧结温度可以制备出相对密度高达99.50~99.67%的高密度ITO靶材。该技术采用两次预混、两次干燥，最后再制备浆料，生产周期长、操作繁琐，需要对ITO靶材粉末重新设计处理方法，采用一次混合进行制备浆料，来缩短周期，因此解决这一问题就显得十分必要了。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种高密度ITO靶材粉末的处理方法，通过先对氧化锡粉末加入到砂磨机添加去离子水、分散剂和添加剂进行预磨，再将氧化锡浆料与氧化铟粉末添加去离子水、分散剂和添加剂进行砂磨，步骤二的分散剂添加量/步骤二+步骤三的分散剂添加量≤40%，这样采用一次混合成浆，周期短，密度提升明显，提升客户产品性能和使用效能，解决了背景技术中出现的问题。

本发明的目的是提供一种高密度ITO靶材粉末的处理方法，ITO靶材粉末包括有氧化铟粉末和氧化锡粉末；包括有以下步骤：

步骤一：首先准备氧化铟粉末和氧化锡粉末；

步骤二：对氧化锡粉末进行预磨：将氧化锡粉末倒入砂磨机中，加入定量去离子水，此时固含量为20%-55%，再加入分散剂和添加剂，之后预搅拌混合后进行预磨；

步骤三：将氧化铟粉末倒入砂磨罐内与步骤二制得的氧化锡浆料混合，加入定量的去离子水、分散剂和添加剂，混合搅拌均匀后开启砂磨机砂磨，直至粒度达到规定要求；

分散剂为：分散剂为阴离子分散剂HS-DISPERSANT 6067M，其中步骤二的分散剂添加量/步骤二+步骤三的分散剂添加量≤40%。

进一步改进在于：所述步骤二预搅拌混合后进行预磨具体为：预搅拌≥10分钟后，开始预磨氧化锡，采用循环或打道次方式预磨，预磨后将预磨的氧化锡浆料打入砂磨罐内等待。

进一步改进在于：预磨直至氧化锡浆料的浆料粒度达到0.15umD500.3um。

进一步改进在于：所述步骤三砂磨之后再加入一定量添加剂和去离子水。

进一步改进在于：还包括步骤四：将浆料进行造粒，之后混合分级得到ITO靶材粉末。

进一步改进在于：所述步骤四混合分级后对ITO靶材粉末成型烧结，得到ITO靶材烧结体。