[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1存储单元，设置在衬底的上方；

第1位线，在第1方向上延伸，电连接于所述第1存储单元；

第1焊垫，电连接于所述第1位线；

第1感测放大器，电连接于所述第1焊垫，对所述第1位线的电压进行感测；

第2存储单元，设置在所述衬底的上方；

第2位线，与所述第1位线相邻地在所述第1方向上延伸，且电连接于所述第2存储单元；

第2焊垫，电连接于所述第2位线；及

第2感测放大器，电连接于所述第2焊垫，对所述第2位线的电压进行感测；

所述第1感测放大器与所述第2感测放大器相邻而在与所述第1方向交叉的第2方向上排列，所述第1焊垫与所述第2焊垫相邻而在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上排列。

2.一种半导体存储装置，具备：

第1存储单元，设置在衬底的上方；

第1位线，在第1方向上延伸，且电连接于所述第1存储单元；

第1焊垫，电连接于所述第1位线；

第1晶体管，电连接于所述第1焊垫；

第2晶体管，电连接于所述第1晶体管；

第2存储单元，设置在所述衬底的上方；

第2位线，与所述第1位线相邻地在所述第1方向上延伸，且电连接于所述第2存储单元；

第2焊垫，电连接于所述第2位线；

第3晶体管，电连接于所述第2焊垫；

第4晶体管，电连接于所述第3晶体管；

所述第2晶体管与所述第4晶体管在与所述第1方向交叉的第2方向上排列，

所述第1焊垫与所述第2焊垫相邻而在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上排列，

所述第1晶体管与所述第3晶体管在所述第3方向上排列。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1位线及所述第2位线配置在所述第1存储单元及所述第2存储单元、与所述第1感测放大器及所述第2感测放大器之间。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1焊垫具有电连接于所述第1位线的第1导电焊垫、及电连接于所述第1感测放大器的第2导电焊垫，所述第1导电焊垫与所述第2导电焊垫在与所述第1方向及所述第2方向正交的第4方向上贴合。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第1晶体管，设置在所述第1焊垫与所述第1感测放大器之间；及

第2晶体管，设置在所述第2焊垫与所述第2感测放大器之间；

所述第1晶体管与所述第2晶体管在所述第3方向上排列。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中所述第1晶体管及所述第2晶体管包含高耐压晶体管。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，在所述衬底的上方还具备：

多个导电层，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上层叠；及

柱，在所述第3方向上延伸，穿过所述多个导电层并与所述第1位线电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述导电层为字线，所述导电层与所述柱交叉的部分作为所述第1存储单元发挥功能。

9.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中所述第1感测放大器包含第3晶体管，所述第3晶体管设置在所述衬底上，且与所述第1晶体管电连接，

所述第2感测放大器包含第4晶体管，所述第4晶体管设置在所述衬底上，且与所述第2晶体管电连接。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第1配线，电连接于所述第1位线及所述第1焊垫，且在所述第2方向上延伸；及

第2配线，电连接于所述第2位线及所述第2焊垫，与所述第1配线相邻且在所述第2方向上延伸。