[发明专利]掩膜、其制备方法及曝光方法在审
申请号: | 202110950484.6 | 申请日: | 2021-08-18 |
公开(公告)号: | CN113608407A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 陈妙婷;洪裕民 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;业成光电(无锡)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G03F1/40;G03F1/68;G03F7/20;G02B5/02 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 杨冬梅;张行知 |
地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜 制备 方法 曝光 | ||
1.一种掩膜,其特征在于,包括:
透明的基板,具有第一表面;
图案化的遮光层,位于所述第一表面上;以及
扩散层,位于所述基板远离所述遮光层的一侧,所述扩散层中含有光扩散粒子。
2.如权利要求1所述的掩膜,其特征在于,所述基板具有与所述第一表面相对的第二表面,所述扩散层位于所述第二表面上;或者,所述掩膜包括位于所述基板远离所述遮光层的一侧的基材,所述扩散层位于所述基材的远离所述基板的表面上。
3.如权利要求2所述的掩膜,其特征在于,所述掩膜还包括抗静电层,所述抗静电层至少覆盖所述遮光层远离所述基板的表面及所述第一表面未被所述遮光层覆盖的部分;在所述掩膜包括所述基材的情况下,所述抗静电层还覆盖所述基材的靠近所述基板的表面。
4.如权利要求3所述的掩膜,其特征在于,所述抗静电层中含有碳氧化物的抗静电粒子。
5.如权利要求3所述的掩膜,其特征在于,所述扩散层的厚度为1μm~10μm和/或所述抗静电层的厚度为4μm~5μm。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的掩膜,其特征在于,所述基板的材质为玻璃或塑料。
7.一种掩膜的制备方法,其特征在于,包括:
于一透明的基板的相对的第一表面及第二表面上分别形成图案化的遮光层以及扩散层,所述扩散层中含有光扩散粒子;以及
形成一抗静电层,所述抗静电层覆盖所述遮光层远离所述基板的表面以及所述第一表面未被所述遮光层覆盖的部分。
8.一种曝光方法,其特征在于,包括:
将待曝光的工件放置于曝光机的载台上;
将一扩散板放置于所述曝光机的光源与掩膜之间,所述扩散板包括扩散层,所述扩散层中含有光扩散粒子;以及
对待曝光的工件进行曝光。
9.如权利要求8所述的曝光方法,其特征在于,所述扩散板还包括基材及抗静电层,所述扩散层及所述抗静电层分别位于所述基材的相对两表面。
10.如权利要求8或9所述的曝光方法,其特征在于,所述扩散板贴附于所述掩膜上;或者所述扩散板贴附于所述曝光机的曝光玻璃与所述掩膜之间;或者所述扩散板贴附于所述曝光机的曝光玻璃远离所述掩膜的一侧。
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