[发明专利]掩膜、其制备方法及曝光方法

说明书

本申请实施例提供一种掩膜、其制备方法及曝光方法。掩膜包括：透明的基板，具有第一表面；图案化的遮光层，位于所述第一表面上；以及扩散层，位于所述基板远离所述遮光层的一侧，所述扩散层中含有光扩散粒子。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩膜、其制备方法及曝光方法。

背景技术

目前，触控面板中，触控驱动电极(或触控感应电极)之间需要通过在绝缘层上形成通孔以实现导电层桥接。绝缘层(光阻材料，如干膜)通过掩膜曝光、显影后形成通孔。然而，现有的制程中，绝缘层的通孔处具有底切(Undercut)且倾角(Taper)过大，造成导电层桥接时断线。

发明内容

本申请第一方面提供一种掩膜，其包括：

透明的基板，具有第一表面；

图案化的遮光层，位于所述第一表面上；以及

扩散层，位于所述基板远离所述遮光层的一侧，所述扩散层中含有光扩散粒子。

该掩膜具有扩散层，其包含的光扩散粒子。曝光光源的光经掩膜后，扩散层可对光源的光进行折射、扩散，使曝光光源的光偏折并均匀出射，进而改善光阻曝光后的底切及倾角过大的现象。当该掩膜应用到触控面板的制备中，以对绝缘层(光阻材料，如干膜)进行图案化形成通孔，实现触控驱动电极或触控感应电极的桥接时，可改善绝缘层在通孔处的底切及倾角过大的问题，实现导电层有效搭接。

在本申请的一些实施例中，所述基板具有与所述第一表面相对的第二表面，所述扩散层位于所述第二表面上；或者，所述掩膜包括位于所述基板远离所述遮光层的一侧的基材，所述扩散层位于所述基材的远离所述基板的表面上。

在本申请的一些实施例中，所述掩膜还包括抗静电层，所述抗静电层至少覆盖所述遮光层远离所述基板的表面及所述第一表面未被所述遮光层覆盖的部分；在所述掩膜包括所述基材的情况下，所述抗静电层还覆盖所述基材的靠近所述基板的表面。

在本申请的一些实施例中，所述抗静电层中含有碳氧化物的抗静电粒子。

在本申请的一些实施例中，所述扩散层的厚度为1μm～10μm和/或所述抗静电层的厚度为4μm～5μm。

在本申请的一些实施例中，所述基板的材质为玻璃或塑料。

本申请第二方面提供一种掩膜的制备方法，其包括：

于一透明的基板的相对的第一表面及第二表面上分别形成图案化的遮光层以及扩散层，所述扩散层中含有光扩散粒子；以及

形成一抗静电层，所述抗静电层覆盖所述遮光层远离所述基板的表面以及所述第一表面未被所述遮光层覆盖的部分。

该掩膜的制备方法，获得的掩膜兼具光扩散功能以及抗静电功能。

本申请第三方面提供一种曝光方法，其包括：

将待曝光的工件放置于曝光机的载台上；

将一扩散板放置于所述曝光机的光源与掩膜之间，所述扩散板包括扩散层，所述扩散层中含有光扩散粒子；以及

对待曝光的工件进行曝光。

在本申请的一些实施例中，所述扩散板还包括基材及抗静电层，所述扩散层及所述抗静电层分别位于所述基材的相对两表面。

在本申请的一些实施例中，所述扩散板贴附于所述掩膜上；或者所述扩散板贴附于所述曝光机的曝光玻璃与所述掩膜之间；或者所述扩散板贴附于所述曝光机的曝光玻璃远离所述掩膜的一侧。