[发明专利]TFT背板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT背板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板，在所述衬底基板上定义薄膜晶体管区域和测试区域；

在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在所述测试区域中沉积待检测膜层；所述在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层包括：

步骤1、在所述衬底基板的所述薄膜晶体管区域中依次形成层叠设置的遮光层和缓冲层；在所述衬底基板的所述测试区域中形成缓冲层测试结构，所述缓冲层测试结构包括设置于所述衬底基板上的所述缓冲层；

步骤2、在所述衬底基板的所述薄膜晶体管区域中形成半导体层，同时在所述衬底基板的所述测试区域中形成半导体层测试结构，所述半导体层测试结构包括在所述衬底基板上依次层叠设置的所述缓冲层与所述半导体层；

对所述测试区域的所述待检测膜层进行检测。

2.根据权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述对所述测试区域的所述待检测膜层进行检测包括：

对所述待检测膜层的厚度、所述待检测膜层的膜厚均一性以及所述待检测膜层的沉积速率中的至少一种进行检测。

3.根据权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层还包括：

步骤3、在所述衬底基板的所述薄膜晶体管区域中形成栅极绝缘层，在所述衬底基板的所述测试区域中形成栅极绝缘层测试结构，所述栅极绝缘层测试结构包括在所述衬底基板上依次层叠设置的所述缓冲层与所述栅极绝缘层。

4.根据权利要求3所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层还包括：

步骤4、在所述衬底基板的所述薄膜晶体管区域中依次形成层叠设置的栅极金属层与层间介电层，在所述衬底基板的所述测试区域中形成层间介电层测试结构，所述层间介电层测试结构包括在所述衬底基板上依次层叠设置的所述缓冲层与所述层间介电层。

5.根据权利要求4所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层还包括：

步骤5、在所述衬底基板的所述薄膜晶体管区域中依次形成层叠设置的源漏极金属层以及钝化层，在所述衬底基板的所述测试区域中形成钝化层测试结构，所述钝化层测试结构包括在所述衬底基板上依次层叠设置的所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述栅极金属层、所述层间介电层、所述源漏极金属层以及所述钝化层。

6.根据权利要求5所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层还包括：

步骤6、在所述衬底基板的所述薄膜晶体管区域中形成平坦层，同时在所述衬底基板的所述测试区域中形成平坦层测试结构，所述平坦层测试结构包括在所述衬底基板上依次层叠设置的所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述栅极金属层、所述层间介电层、所述源漏极金属层以及所述平坦层。

7.根据权利要求6所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层还包括：

步骤7、在所述衬底基板的所述薄膜晶体管区域中形成透明导电层，同时在所述衬底基板的所述测试区域中形成透明导电层测试结构，所述透明导电层测试结构包括在所述衬底基板上依次层叠设置的所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述栅极金属层、所述层间介电层、所述源漏极金属层以及所述透明导电层。

8.根据权利要求7所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层还包括：

步骤8、在所述衬底基板的所述薄膜晶体管区域中形成像素定义层，同时在所述衬底基板的所述测试区域中形成像素定义层测试结构，所述像素定义层测试结构包括在所述衬底基板上依次层叠设置的所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述栅极金属层、所述层间介电层、所述源漏极金属层以及所述像素定义层。