[发明专利]TFT背板的制作方法

说明书

本申请实施例提供一种TFT背板的制作方法，包括：提供衬底基板，在衬底基板上定义薄膜晶体管区域和测试区域；在薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层；对测试区域的待检测膜层进行检测。本申请实施例的TFT背板的制作方法，通过在TFT背板上同时设置薄膜晶体管区域和测试区域，能够在TFT背板的制作过程中实时检测TFT背板中各透明膜层或半透明膜层的参数，并实时获得测试结果，方便及时发现和处理膜厚异常，并且可以根据测试结果对量产线的工艺条件进行改进，以提高产品质量。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种TFT背板的制作方法。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)背板广泛应用在液晶显示面板、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电激光显示)显示面板、LED(light-emittingdiode，发光二极管)显示面板等显示面板中，TFT背板中通常设有缓冲层(Buffer)、栅极绝缘层(GI)、层间介电层(ILD)、钝化层(PV)、氧化铟锡层(ITO)等透明膜层或者半透明膜层，这些膜层的厚度和膜厚均一性等参数是影响TFT背板的电学性能的重要因素，因此现有技术中通常在TFT背板生产之前在实验室中模拟量产线的工艺条件，针对各个膜层进行单层膜沉积实验，并测量各个膜层的厚度和膜厚均一性等参数，但是，这种测试方法额外增加了测试时间，测试期间量产线不能够正常工作，需等待测试结果出来再对量产线的工艺条件进行调节，如此会降低量产线的生产效率，并且由于实验室的测试条件与量产线的工艺条件必然存在差异，因此实验室的测试结果不能准确反应实际生产中的情况，导致出现测试结果不准确的现象。

发明内容

本申请实施例提供一种TFT背板的制作方法，能够在TFT背板的制作过程中实时检测TFT背板中各透明膜层或半透明膜层的参数，检测结果准确，并且能够提高量产线的生产效率。

本申请实施例提供一种TFT背板的制作方法，包括：

提供衬底基板，在所述衬底基板上定义薄膜晶体管区域和测试区域；

在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在所述测试区域中沉积待检测膜层；

对所述测试区域的所述待检测膜层进行检测。

在一些实施例中，所述对所述测试区域的所述待检测膜层进行检测包括：

对所述待检测膜层的厚度、所述待检测膜层的膜厚均一性以及所述待检测膜层的沉积速率中的至少一种进行检测。

在一些实施例中，所述在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层包括：

步骤1、在所述衬底基板的所述薄膜晶体管区域中依次形成层叠设置的遮光层和缓冲层；在所述衬底基板的所述测试区域中形成缓冲层测试结构，所述缓冲层测试结构包括设置于所述衬底基板上的所述缓冲层。

在一些实施例中，所述在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层还包括：

步骤2、在所述衬底基板的所述薄膜晶体管区域中形成半导体层，同时在所述衬底基板的所述测试区域中形成半导体层测试结构，所述半导体层测试结构包括在所述衬底基板上依次层叠设置的所述缓冲层与所述半导体层。

在一些实施例中，所述在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层还包括：

步骤3、在所述衬底基板的所述薄膜晶体管区域中形成栅极绝缘层，在所述衬底基板的所述测试区域中形成栅极绝缘层测试结构，所述栅极绝缘层测试结构包括在所述衬底基板上依次层叠设置的所述缓冲层与所述栅极绝缘层。

在一些实施例中，所述在所述薄膜晶体管区域中沉积待检测膜层的同时，在测试区域中沉积待检测膜层还包括：