[发明专利]一种多电源上电复位电路在审
| 申请号： | 202110956909.4 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113746460A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 屈小钢;秋小强;高丽江;朱辰 | 申请（专利权）人： | 北京中科胜芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22;G06F1/24 |
| 代理公司： | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 100044 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电源 复位 电路 | ||
1.一种多电源上电复位电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第二电阻、第一反相器、第二反相器和或门；所述第一PMOS管的源极连接第一电源，栅极接地，漏极连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端接地；所述第一PMOS管与所述第一电阻之间的连接节点连接所述第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述或门的第一输入端；所述第二PMOS管的源极连接第二电源，栅极接地，漏极连接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地；所述第二PMOS管与所述第二电阻之间的连接节点连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述或门的第二输入端；所述或门输出复位信号。
2.根据权利要求1所述的多电源上电复位电路，其特征在于：所述第二电源的电压高于所述第一电源。
3.根据权利要求2所述的多电源上电复位电路，其特征在于：所述第一PMOS管是薄栅氧PMOS管；：所述第二PMOS管是厚栅氧PMOS管。
4.根据权利要求3所述的多电源上电复位电路，其特征在于：所述第二反相器包括第三PMOS管和第一NMOS管；所述第三PMOS管的源极连接所述第一电源，所述第一NMOS管的源极接地；所述第三PMOS管和第一NMOS管的栅极连接在一起作为所述第二反相器的输入，所述第三PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极连接在一起作为所述第二反相器的输出。
5.根据权利要求4所述的多电源上电复位电路，其特征在于：所述第三PMOS管是厚栅氧PMOS管；所述第一NMOS管是厚栅氧NMOS管。
6.一种多电源上电复位电路，其特征在于，包括：第一NMOS管、第一电阻、第二NMOS管、第二电阻、第一反相器、第二反相器和或门；所述第一NMOS管的漏极连接地，栅极接第一电源，漏极连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端接所述第一电源；所述第一NMOS管与所述第一电阻之间的连接节点连接所述第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述或门的第一输入端；所述第二NMOS管的源极接地，栅极连接第二电源，漏极连接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端连接所述第二电源；所述第二PMOS管与所述第二电阻之间的连接节点连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述或门的第二输入端；所述或门输出复位信号。
7.根据权利要求6所述的多电源上电复位电路，其特征在于：所述第二电源的电压高于所述第一电源。
8.根据权利要求7所述的多电源上电复位电路，其特征在于：所述第一NMOS管是薄栅氧NMOS管；所述第二NMOS管是厚栅氧NMOS管。
9.根据权利要求8所述的多电源上电复位电路，其特征在于：所述第二反相器包括第三NMOS管和第一PMOS管；所述第一PMOS管的源极连接所述第一电源，所述第三NMOS管的源极接地；所述第三NMOS管和第一PMOS管的栅极连接在一起作为所述第二反相器的输入，所述第三NMOS管的漏极和第一PMOS管的漏极连接在一起作为所述第二反相器的输出。
10.根据权利要求9所述的多电源上电复位电路，其特征在于：所述第三NMOS管是厚栅氧NMOS管；所述第一PMOS管是厚栅氧PMOS管。
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