[发明专利]一种多电源上电复位电路

说明书

本发明涉及一种多电源上电复位电路，包括：第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第二电阻、第一反相器、第二反相器和或门。本发明提供的多电源上电复位电路，能较好的解决FPGA等可编程逻辑器件需要监测多电源上电复位的问题，以支持基于SRAM的FPGA广泛应用于计算机硬件、数据处理、工业控制、遥控遥测、智能仪表、广播电视、医疗器械和航空航天等诸多领域。

技术领域

本发明涉及一种多电源上电复位电路，具体涉及一种用于芯片内电源上电时复位寄存器与存储模块的多电源上电复位POR(Power On Reset)电路，属于集成电路设计技术领域。

背景技术

上电复位电路通常集成在需要初始状态确定寄存器或片内大量存储单元的SOC芯片内，比如FPGA等可编程逻辑器件、MCU和电源管理芯片。它的功能就是检测电源电压到达一定值（也就是复位点电压）时，产生复位信号。用来复位芯片内的寄存器与存储单元，使得他们在上电过程中状态是确定的，不会在‘0’与‘1’两个状态间来回跳。通常在FPGA等可编程逻辑器件中会有两个或两个以上不同电压的电源，这就需要监测两个或两个以上电源电压是否都上电到一定电压，从而释放上电复位信号，芯片可以正常工作。

通常的上电复位电路都只是针对一个电源，监测其电压产生上电复位信号。中国专利CN20151102434 3.2中虽然监测是否超过两个电压值，但也是监测的同一个电源的电压，只不过一个是监测是否超过二倍的MOS阈值电压，一个是监测是否超过1.2V多的Bandgap电压。

发明内容

本发明要解决技术问题是：克服上述技术的缺点，针对通常现有的上电复位电路只监测一个电源电压的情况，而一些像FPGA等可编程逻辑器件中需要监测两个或两个以上电源电压的问题，本发明提供了一种监测两个或两个以上多电源电压的上电复位POR电路。

为了解决上述技术问题，本发明提出的第一种技术方案是：一种多电源上电复位电路，包括：第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第二电阻、第一反相器、第二反相器和或门；所述第一PMOS管的源极连接第一电源，栅极接地，漏极连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端接地；所述第一PMOS管与所述第一电阻之间的连接节点连接所述第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述或门的第一输入端；所述第二PMOS管的源极连接第二电源，栅极接地，漏极连接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地；所述第二PMOS管与所述第二电阻之间的连接节点连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述或门的第二输入端；所述或门输出复位信号。

上述方案进一步的改进在于：所述第二电源的电压高于所述第一电源。

上述方案进一步的改进在于：所述第一PMOS管是薄栅氧PMOS管；所述第二PMOS管是厚栅氧PMOS管。

上述方案进一步的改进在于：所述第二反相器包括第三PMOS管和第一NMOS管；所述第三PMOS管的源极连接所述第一电源，所述第一NMOS管的源极接地；所述第三PMOS管和第一NMOS管的栅极连接在一起作为所述第二反相器的输入，所述第三PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极连接在一起作为所述第二反相器的输出。

上述方案进一步的改进在于：所述第三PMOS管是厚栅氧PMOS管；所述第一NMOS管是厚栅氧NMOS管。