[发明专利]一种低温漂复位点上电复位电路在审
| 申请号： | 202110956910.7 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113746461A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 屈小钢;秋小强;高丽江;朱辰 | 申请（专利权）人： | 北京中科胜芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22;G06F1/24 |
| 代理公司： | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 100044 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 复位 点上电 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温漂复位点上电复位电路，其特征在于，包括：带隙基准Bandgap参考电压产生电路、MOS管、分压电阻和比较器；所述带隙基准Bandgap参考电压产生电路的输出连接所述比较器的第一输入端；所述MOS管的源极连接电源；所述MOS管的漏极连接所述分压电阻的一端，所述分压电阻的另一端接地；所述MOS管的栅极接地；所述MOS管的漏极与所述分压电阻的连接节点连接所述比较器的第二输入端。
2.根据权利要求1所述的低温漂复位点上电复位电路，其特征在于：所述比较器的第一输入端是同相输入端，第二输入端是反相输入端。
3.根据权利要求1所述的低温漂复位点上电复位电路，其特征在于：所述MOS管是PMOS管。
4.根据权利要求1所述的低温漂复位点上电复位电路，其特征在于：所述带隙基准Bandgap参考电压产生电路能够产生1.2V到1.25V间某一电压值的低温漂参考电压，也能够产生500毫伏到600毫伏的低温漂参考电压。
5.根据权利要求1所述的低温漂复位点上电复位电路，其特征在于：所述比较器的输出为上电复位信号。
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