[发明专利]一种低温漂复位点上电复位电路

说明书

本发明涉及一种低温漂复位点上电复位电路，包括：带隙基准Bandgap参考电压产生电路、MOS管、分压电阻和比较器。本发明提供的低温漂复位点上电复位电路，由于复位点电压变化小能较好的解决上电复位电路复位点电压的变化范围小的问题。

技术领域

本发明涉及一种低温漂复位点上电复位电路，具体涉及一种用于芯片内电源上电时复位寄存器与存储模块的低温漂复位点电压的上电复位POR(Power On Reset)电路，属于集成电路设计技术领域。

背景技术

上电复位电路通常集成在需要初始状态确定寄存器或片内大量存储单元的SOC芯片内，比如FPGA等可编程逻辑器件、MCU和电源管理芯片。它的功能就是检测电源电压到达一定值（也就是复位点电压）时，产生复位信号。用来复位芯片内的寄存器与存储单元，使得他们在上电过程中状态是确定的，不会在‘0’与‘1’两个状态间来回跳。上电复位电路的复位点电压在大多情况下只要超过一定电压值，低于电源电压并在其的一个百分比范围内即可。但也有一些应用情况需要复位点电压是确定的，随温度工艺等变化很小。

中国专利CN201510654841.9中图1上电复位电路的复位点电压就是现有技术大多数情况的一个实例。该实例的复位点电压会随着MOS与电阻的不同工艺角及温度变化较大。这样的大变化是由于MOS与电阻的分压随电源、工艺角与温度变化时，后级施密特触发器与反向器的反转阈值也会随不同PVT（Power, Voltage, and Temperature）变化。两个变化叠加后会导致实际的上电复位电路复位点电压随不同PVT变化大。

随着集成电路工艺节点的不断演进，电源电压也随之不断降低，留给上电复位电路复位点电压的变化范围也越来越小。比如28nm工艺电源电压0.9V，考虑到电源电压的10%变化，复位点最高到0.8V，再去掉0V以上的几百毫伏间片内寄存器与存储状态未定，只剩下三五百毫伏变化范围。在不同工艺角与温度的影响下，上电复位电路复位点在这三五百毫伏变化范围内捉襟见肘。

发明内容

本发明要解决技术问题是：克服上述技术的缺点，针对通常现有的上电复位电路复位点电压随不同PVT变化大，而一些应用需要复位点变化小的问题，本发明提供了一种低温漂复位点上电复位电路。

为了解决上述技术问题，本发明提出的技术方案是：一种低温漂复位点上电复位电路，包括：带隙基准Bandgap参考电压产生电路、MOS管、分压电阻和比较器；所述带隙基准Bandgap参考电压产生电路的输出连接所述比较器的第一输入端；所述MOS管的源极连接电源；所述MOS管的漏极连接所述分压电阻的一端，所述分压电阻的另一端接地；所述MOS管的栅极接地；所述MOS管的漏极与所述分压电阻的连接节点连接所述比较器的第二输入端。

上述方案进一步的改进在于：所述比较器的第一输入端是同相输入端，第二输入端是反相输入端。

上述方案进一步的改进在于：所述MOS管是PMOS管。

上述方案进一步的改进在于：所述带隙基准Bandgap参考电压产生电路能够产生1.2V到1.25V间某一电压值的低温漂参考电压，也能够产生500毫伏到600毫伏的低温漂参考电压。

上述方案进一步的改进在于：所述比较器的输出为上电复位信号。

本发明提供的低温漂复位点上电复位电路，由于复位点电压变化小能较好的解决上电复位电路复位点电压的变化范围小的问题。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步说明。

图1是本发明一个优选的实施例结构示意图。

图2是电阻分压与MOS管-电阻分压曲线对比图。

具体实施方式

实施例