[发明专利]InP量子点及制备方法、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS量子点

权利要求书

1.一种InP量子点的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1，将硅基磷前驱体、脂肪酸铟前驱体及非配位溶剂在第一温度下混合，并升至第二温度，得到第一InP核；

步骤S2，将氨基磷前驱体和脂肪酸铟前驱体逐滴滴加至第一InP核的反应体系，并在第三温度下反应，获得第二InP核，即获得InP量子点；

其中，第三温度高于第二温度，第二InP核的尺寸大于第一InP核尺寸。

2.根据权利要求1所述的一种InP量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述硅基磷前驱体与所述脂肪酸铟前驱体的摩尔比为1:(0.5-10)，优选1:(1～5)。

3.根据权利要求1所述的一种InP量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中将硅基磷前驱体、脂肪酸铟前驱体及非配位溶剂在第一温度下混合，包括：

将硅基磷前驱体、脂肪酸铟前驱体、非配位溶剂、硬脂酸锌和油胺，在第一温度下混合；

优选地，所述硬脂酸锌的物质的量为0.3mmol-0.6mmol，所述油胺的体积为为5mL-15mL。

4.根据权利要求1或3所述的一种InP量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中的脂肪酸铟前驱体与所述氨基磷前驱体的摩尔比为：(0.5～10):1，优选(1～5):1。

5.根据权利要求1所述的一种InP量子点的制备方法，其特征在于：所述硅基磷前驱体选自三(三甲硅烷基)膦或三(三乙基硅基)膦中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的一种InP量子点的制备方法，其特征在于：所述氨基磷前驱体选自三(三甲硅烷基)膦或三(二乙基氨基)膦中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的一种InP量子点的制备方法，其特征在于：步骤S1中的第一温度为20～200℃；步骤S1中的第二温度为150～280℃；步骤S2中的第三温度为220～400℃；其中所述第二温度高于所述第一温度。

8.一种前述权利要求1-7任一项所述的一种InP量子点的制备方法制备的InP量子点。

9.一种InP/ZnSe量子点，其特征在于，所述InP/ZnSe量子点包括权利要求1-7任一项所述的方法制备的InP量子点，以及位于所述InP量子点的外表面的ZnSe壳体。

10.一种InP/ZnSe/ZnS量子点，其特征在于，所述InP/ZnSe/ZnS量子点包括权利要求9所述的InP/ZnSe量子点，以及位于所述ZnSe壳体外表面的ZnS包覆层。