[发明专利]显示面板在审
申请号: | 202110958891.1 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN113745247A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 杨国强 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区,所述显示面板还包括:
第一透明衬底;
位于所述第一透明衬底一侧的第一无机层;
半导体层,设置于所述第一无机层远离所述第一透明衬底的一侧;以及
第二无机层,覆于所述半导体层及所述第一无机层上;
其中,所述第二无机层在所述弯折区形成有第一过孔,所述第一过孔贯穿所述第二无机层及部分所述第一无机层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一无机层包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一无机层包括覆于所述第一透明衬底上的第一氮化硅层以及覆于所述第一氮化硅层远离所述第一透明衬底一侧的第一氧化硅层,所述第一过孔贯穿部分或全部所述第一氧化硅层,以裸露出所述第一氮化硅层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一无机层还包括覆于所述第一氧化硅层远离所述第一氮化硅层的第二氮化硅层,所述第一过孔还贯穿所述第二氮化硅层。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一无机层包括依次层叠设置在所述第一透明衬底上的第一氧化硅层、第一氮化硅层、第二氧化硅层以及第二氮化硅层,所述第一过孔贯穿所述第二氮化硅层和所述第二氧化硅层,以裸露出所述第一氮化硅层。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一氧化硅层的厚度小于所述第二氧化硅层的厚度。
7.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一透明衬底在对应所述第一开孔的区域设置有多个第一凸起。
8.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一过孔裸露出的所述第一无机层表面设置有多个第二凸起。
9.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一过孔裸露出的所述第一无机层的厚度范围为1000埃至5000埃。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括临近所述显示区设置的功能区,以及设置在所述显示区的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管靠近所述功能区设置,所述显示面板还包括:
导电电极层,设置于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管远离所述第一透明衬底的一侧,在所述功能区形成有第一像素电极,在所述显示区形成有第二像素电极,所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管连接,所述第二像素电极与所述第二薄膜晶体管连接。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述导电电极层之间还设置有桥接层,所述桥接层在所述功能区形成第一桥接电极,并在所述显示区形成第二桥接电极,所述第一像素电极通过所述第一桥接电极与所述第一薄膜晶体管连接,所述第二像素电极通过所述第二桥接电极与所述第二薄膜晶体管连接。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述第二无机层包括依次层叠设置的栅极绝缘层、层间绝缘层,所述栅极绝缘层面向所述半导体层设置,所述半导体层在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的沟道区以及位于沟道区两侧的源区和漏区,所述栅极绝缘层覆于所述半导体层及所述第一无机层上;所述显示面板还包括:
栅极层,设置于所述栅极绝缘层上,在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极,并在所述弯折区形成有第一信号转接线,所述层间绝缘层覆于所述栅极层及所述栅极绝缘层上,且所述层间绝缘层图案化形成所述第一过孔,并在所述显示区形成第二过孔;
第一源漏极层,设置于所述层间绝缘层上,在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第一源极和第一漏极,并在所述弯折区形成有第二信号转接线;
第一平坦化层,覆于所述第一源漏极层及所述层间绝缘层上,并填充所述第一过孔;
第二源漏极层,设置于所述第一平坦化层上,在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第二源极,并在所述弯折区形成有多个绑定走线;
第二平坦化层,覆于所述第二源漏极层及所述第一平坦化层上,所述桥接层设置所述第二平坦化层上;
第三平坦化层,覆于所述桥接层及所述第二平坦化层上,所述导电电极层设置于所述第三平坦化层上;
其中,所述栅极与所述沟道区对应设置,所述第一源极与所述源区连接,所述第一漏极与所述漏区连接,所述第二源极与所述第一漏极连接,所述第一桥接电极和所述第二桥接电极分别与对应的所述第二源极连接;所述第一信号转接线与所述第二信号转接线连接,所述绑定走线与所述第二信号转接线连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110958891.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种卸灰阀漏灰收集装置
- 下一篇:一种带有过滤功能的减压阀
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的