[发明专利]倒装红光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述倒装红光二极管芯片包括外延片、p电极与n电极，

所述外延片包括支撑衬底及依次层叠在所述支撑衬底上的衬底键合金属层、外延键合金属层、反射层、p-GaP欧姆接触层、p-AlInP限制层、有源层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP窗口层与n-GaAs欧姆接触层，

所述衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层，所述外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层，

所述p电极位于所述支撑衬底远离所述n电极的一面上，所述n电极位于所述n-GaAs欧姆接触层上。

2.根据权利要求1所述的倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述衬底Ag金属子层的厚度大于所述外延Ag金属子层的厚度，所述衬底In金属子层的厚度大于所述外延In金属子层的厚度。

3.根据权利要求2所述的倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述衬底Ag金属子层的厚度小于所述衬底In金属子层的厚度。

4.根据权利要求1～3任一项所述的倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述反射层包括网状反射金属层与SiOF子层，所述SiOF子层填充在所述网状反射金属层的网格内。

5.根据权利要求4所述的倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述SiOF子层中Si元素含量为51～62％，所述SiOF子层中O元素含量为32～38％，所述SiOF子层中F元素含量为6～11％。

6.根据权利要求4所述的倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述反射金属层包括依次层叠的第一Au金属子层、金锌合金层与第二Au金属子层。

7.一种倒装红光二极管芯片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一支撑衬底与一外延结构；

所述外延结构包括依次层叠的外延键合金属层、反射层、p-GaP欧姆接触层、p-AlInP限制层、有源层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP窗口层与n-GaAs欧姆接触层，所述外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层；

在所述支撑衬底上生长衬底金属键合层，所述衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层；

将所述外延键合金属层与所述衬底键合金属层键合；

在所述支撑衬底远离所述n-GaAs欧姆接触层的一面形成p电极；

在所述n-GaAs欧姆接触层的表面形成n电极。

8.根据权利要求7所述的倒装红光二极管芯片制备方法，其特征在于，提供一外延结构，包括：

提供一砷化镓衬底；

在所述砷化镓衬底上依次生长AlAs牺牲层、GaInP截止层、n-GaAs欧姆接触层、n-AlGaInP窗口层、n-AlInP限制层、有源层、p-AlInP限制层、p-GaP欧姆接触层、反射层与外延键合金属层；

将所述砷化镓衬底与所述GaInP截止层放置在剥离溶液中，所述剥离溶液与所述AlAs牺牲层反应以分离所述砷化镓衬底与所述GaInP截止层；

去除所述GaInP截止层以得到所述外延结构。

9.根据权利要求8所述的倒装红光二极管芯片制备方法，其特征在于，所述剥离溶液包括氢氟酸，将所述砷化镓衬底与所述GaInP截止层放置在剥离溶液中10～30min。

10.根据权利要求8所述的倒装红光二极管芯片制备方法，其特征在于，使用具有粘性的蓝膜将所述GaInP截止层与所述n-GaAs欧姆接触层分离。