[发明专利]倒装红光二极管芯片及其制备方法

说明书

本公开提供了倒装红光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在支撑衬底上通过衬底键合金属层与外延键合金属层键合之后，支撑衬底对外延键合金属层上的外延结构起到支撑作。衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层，外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层，Ag材料将光线有效反射至出光面，In金属子层降低得到的红光二极管中由于高温产生的热应力提高红光二极管的质量以提高红光二极管的出光效率。

技术领域

本公开涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种倒装红光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

红光发光二极管是一种常见光源器件，广泛应用于远程遥控，车辆传感，闭路电视等方面，红光发光二极芯片则是用于制备红光发光二极管的基础结构。红光发光二极管芯片通常包括外延片与p、n电极。外延片包括支撑衬底及依次层叠在支撑衬底上的n-AlGaInP电流扩展层、n-AlGaInP欧姆接触层、n-AlInP限制层、有源层、p-AlInP限制层、布拉格反射镜、p-GaP欧姆接触层。p-GaP欧姆接触层上具有延伸至n-AlGaInP欧姆接触层的凹槽，红光发光二极芯片的p电极可设置在p-GaP欧姆接触层上，红光发光二极芯片的n电极可设置在n-AlGaInP欧姆接触层被凹槽暴露的表面上。

外延片中的在衬底上生长的外延层，限于衬底以及外延材料之间的晶格失配以及内部的应力，导致得到的红光发光二极管芯片的质量仍不够理想，影响最终得到的红光发光二极管的出光效率。

发明内容

本公开实施例提供了倒装红光二极管芯片及其制备方法，能够提高得到的红光发光二极管芯片的质量以提高红光发光二极管芯片的出光效率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种倒装红光二极管芯片，所述倒装红光二极管芯片包括外延片、p电极与n电极，

所述外延片包括支撑衬底及依次层叠在所述支撑衬底上的衬底键合金属层、外延键合金属层、反射层、p-GaP欧姆接触层、p-AlInP限制层、有源层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP窗口层与n-GaAs欧姆接触层，

所述衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层，所述外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层，

所述p电极位于所述支撑衬底远离所述n电极的一面上，所述n电极位于所述n-GaAs欧姆接触层上。

可选地，所述衬底Ag金属子层的厚度大于所述外延Ag金属子层的厚度，所述衬底In金属子层的厚度大于所述外延In金属子层的厚度。

可选地，所述衬底Ag金属子层的厚度小于所述衬底In金属子层的厚度。

可选地，所述反射层包括网状反射金属层与SiOF子层，所述SiOF子层填充在所述网状反射金属层的网格内。

可选地，所述SiOF子层中Si元素含量为51～62％，所述SiOF子层中O元素含量为32～38％，所述SiOF子层中F元素含量为6～11％。

可选地，所述反射金属层包括依次层叠的第一Au金属子层、金锌合金层与第二Au金属子层。

本公开实施例提供了一种倒装红光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一支撑衬底与一外延结构；