[发明专利]一种基于SOI和TSV技术的新型垂直MOSFET结构在审
| 申请号： | 202110961870.5 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113851543A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 朱家和;王大伟;赵文生 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/48 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi tsv 技术 新型 垂直 mosfet 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于SOI和TSV技术的新型垂直MOSFET结构，其特征在于，包括自下而上的衬底Si、埋氧化层SiO2、多晶硅p-Si、源极区域、栅极区域、漏极区域；所述埋氧化层SiO2叠置于衬底Si上，得到SOI衬底；多晶硅p-Si叠置于埋氧化层SiO2上；源极区域设置于埋氧化层SiO2之中，且与多晶硅p-Si接触；栅极区域设置于多晶硅p-Si硅通孔的侧壁中央；漏极区域处于多晶硅p-Si的顶部。
2.根据权利要求1所述的一种基于SOI和TSV技术的新型垂直MOSFET结构，其特征在于，所述栅极区域设置于多晶硅p-Si硅通孔的侧壁中央是通过超高分辨率电子束负胶HSQ固定的。
3.根据权利要求1所述的一种基于SOI和TSV技术的新型垂直MOSFET结构，其特征在于，在漏极区域和栅极区域施加一定电压，漏极区域和源极区域之间形成垂直沟道，并且栅极区域环绕于形成的沟道。
4.根据权利要求3所述的一种基于SOI和TSV技术的新型垂直MOSFET结构，其特征在于，所述漏极区域的电压为0V-5V；栅极区域的电压大于0.45V。
5.根据权利要求1所述的一种基于SOI和TSV技术的新型垂直MOSFET结构，其特征在于，垂直MOSFET结构的掺杂浓度为1×1020cm-3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110961870.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种建材物料分选系统
- 下一篇：Go语言源代码混淆方法、系统、终端及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
