[发明专利]电吸收调制激光器芯片及激光器芯片封装结构

权利要求书

1.一种电吸收调制激光器芯片，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对的上表面和下表面；

激光发射部分，位于所述衬底的上表面，用于发射激光；

调制部分，位于所述衬底的上表面，用于对所述激光发射部分发出的激光进行调制；

背金属电极层，位于所述衬底的下表面；

接地电极，位于所述衬底的上表面，并临近所述调制部分设置，且与所述背金属电极层相电性连接；

信号电极，位于所述衬底的上表面，临近所述接地电极和所述调制部分设置，且与所述调制部分相电性连接；

波导结构，耦合连接所述激光发射部分与所述调制部分。

2.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器芯片，其特征在于，所述接地电极为多个，相邻所述接地电极之间设有所述信号电极。

3.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器芯片，其特征在于，所述电吸收调制激光器芯片还包括：

匹配电阻，所述匹配电阻形成于所述衬底上表面临近所述调制部分的区域，所述匹配电阻的其中一端用于与所述信号电极相连。

4.根据权利要求3所述的电吸收调制激光器芯片，其特征在于，所述匹配电阻与所述接地电极位于所述波导结构的两侧。

5.一种激光器芯片封装结构，其特征在于，包括：

第一基板；

第一金属电极层，位于所述第一基板上；

电吸收调制激光器芯片，所述电吸收调制激光器芯片位于所述第一金属电极层上；

所述电吸收调制激光器芯片包括衬底，所述衬底具有相对的上表面和下表面；激光发射部分，位于所述衬底的上表面，用于发射激光；调制部分，位于所述衬底的上表面，用于对所述激光发射部分发出的激光进行调制；接地电极，位于所述衬底的上表面，临近所述调制部分设置，并与所述第一金属电极层相电性连接；信号电极，位于所述衬底的上表面，临近所述接地电极和所述调制部分设置，且与所述调制部分相电性连接；

第二基板结构，位于所述第一金属电极层上，且与所述电吸收调制激光器芯片相邻设置；

多条传输线，设置于所述第二基板结构上，并分别与所述接地电极及所述信号电极连接。

6.根据权利要求5所述的激光器芯片封装结构，其特征在于，所述第二基板结构包括第二基板及第二金属电极层，所述第二基板位于所述第一金属电极层上，所述第二金属电极层位于所述第一金属电极层与所述第二基板之间。

7.根据权利要求6所述的激光器芯片封装结构，其特征在于，所述第二基板的厚度与所述电吸收调制激光器芯片的厚度一致。

8.根据权利要求6所述的激光器芯片封装结构，其特征在于，所述电吸收调制激光器芯片与所述第二基板结构均具有纵长结构，且并排设置。

9.根据权利要求6所述的激光器芯片封装结构，其特征在于，所述传输线包括信号线、第一接地线及第二接地线，所述信号线位于所述第一接地线及所述第二接地线之间；所述信号线与所述信号电极连接，所述第一接地线及所述第二接地线均与所述接地电极连接。

10.根据权利要求9所述的激光器芯片封装结构，其特征在于，所述信号线经由金线与所述信号电极连接，所述第一接地线及所述第二接地线经由金线与所述接地电极连接。

11.根据权利要求9所述的激光器芯片封装结构，其特征在于，所述信号线的形状、所述第一接地线的形状及所述第二接地线的形状中至少一者为L形。

12.根据权利要求9所述的激光器芯片封装结构，其特征在于，所述信号线、所述第一接地线及所述第二接地线均设置于所述第二基板的上表面；所述第一接地线及所述第二接地线贯穿所述第二基板与所述第二金属电极层相连通。