[发明专利]电吸收调制激光器芯片及激光器芯片封装结构

说明书

本发明公开了一种电吸收调制激光器芯片及激光器芯片封装结构，电吸收调制激光器芯片包括：衬底，衬底具有相对的上表面和下表面；激光发射部分，位于衬底的上表面，用于发射激光；调制部分，位于衬底的上表面，用于对激光发射部分发出的激光进行调制；背金属电极层，位于衬底的下表面；接地电极，位于衬底的上表面，并临近调制部分设置，且与背金属电极层相电性连接；信号电极，位于衬底的上表面，临近接地电极和调制部分设置，且与调制部分相电性连接；波导结构，耦合连接激光发射部分与调制部分。便于将激光器芯片封装之后，缩短信号回路和接地回路的传输路径，从而降低引线产生的寄生电感，提高激光器芯片的封装带宽，同时兼容直流和交流匹配。

技术领域

本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种电吸收调制激光器芯片及激光器芯片封装结构。

背景技术

光通信市场中，根据速率以及传输距离的应用将激光器分为垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL)，分布式反馈单模激光器(Distributed Feed Back，DFB)，电吸收调制激光器(Electro-absorption Modulateddistributed feedback laser，EML)，马赫-曾德尔调制器(Mach-Zehnder Modulator，MZM)等等。高速光收发器件因具有高调制带宽、低插损的优势，被广泛地应用在长距离的光纤传输系统中。随着数据中心应用的推动，需要更高带宽的激光器芯片。通常情况下，激光器芯片不能够直接使用，需要对芯片进行封装来进行信号的传递。激光器芯片的高频性能取决于激光器芯片的封装结构和激光器芯片的共同性能。

然而，传统的激光器芯片的封装方式一般使用引线将芯片电极连接，激光器芯片和引线均设置于基板上，通过引线将射频信号(Radio Frequency，RF)和激光器芯片的正极相连接，形成RF信号线的回路路径。此种封装方式需要较长的引线完成电气连接，较长的引线会产生的寄生电感较大，阻碍高频信号的传输，不利于提高激光器芯片的封装带宽。

发明内容

基于此，有必要针对上述背景技术中的问题，提供一种电吸收调制激光器芯片及激光器芯片封装结构，有效缩短射频信号线和接地回路的传输路径，减小引线产生的寄生电感对芯片高频信号的传输，提高电吸收调制激光器芯片的封装带宽，同时兼容直流和交流匹配。

为解决上述技术问题，本申请的第一方面提出一种电吸收调制激光器芯片，包括：

衬底，所述衬底具有相对的上表面和下表面；

激光发射部分，位于所述衬底的上表面，用于发射激光；

调制部分，位于所述衬底的上表面，用于对所述激光发射部分发出的激光进行调制；

背金属电极层，位于所述衬底的下表面；

接地电极，位于所述衬底的上表面，并临近所述调制部分设置，且与所述背金属电极层相电性连接；

信号电极，位于所述衬底的上表面，临近所述接地电极和所述调制部分设置，且与所述调制部分相电性连接；

波导结构，耦合连接所述激光发射部分与所述调制部分。

上述实施例中提供的电吸收调制激光器，与调制部分临近设置的接地电极，接地电极与背金属电极层电性连接，同时设置临近接地电极和调制部分的信号电极，且信号电极与调制部分电性连接，便于将芯片封装后，缩短信号回路的传输路径和接地回路的传输路径，降低封装结构的寄生电感，提高激光器芯片的封装带宽。

在其中一个实施例中，所述接地电极为多个，相邻所述接地电极之间设有所述信号电极。

在其中一个实施例中，所述电吸收调制激光器芯片还包括：