[发明专利]一种自旋极化耦合的GaN MOSFET在审
| 申请号： | 202110963314.1 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113690208A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人： | 福建晋润半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L29/78;H01L29/20;F16F15/067 |
| 代理公司： | 东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 44777 | 代理人： | 魏昕 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市湖里区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 极化 耦合 gan mosfet | ||
1.一种自旋极化耦合的GaN MOSFET，包括GaN MOSFET(1)，所述GaN MOSFET(1)的底部电性连接有第一引脚(2)，其特征在于：所述第一引脚(2)的底端通过转轴(3)转动连接连接块(4)，所述连接块(4)的底端通过弹簧(5)弹性连接第二引脚(6)。
2.根据权利要求1所述的一种自旋极化耦合的GaN MOSFET，其特征在于：所述第一引脚(2)的底部开设有安装槽(201)，所述安装槽(201)的两侧均开设有第一插接孔(202)。
3.根据权利要求1所述的一种自旋极化耦合的GaN MOSFET，其特征在于：所述连接块(4)包括锡块(401)、凸块(402)、第二插接孔(403)和连接柱(404)，所述锡块(401)的顶部固定连接有凸块(402)，所述锡块(401)的底部固定连接连接柱(404)，所述凸块(402)开设有第二插接孔(403)。
4.根据权利要求2所述的一种自旋极化耦合的GaN MOSFET，其特征在于：所述安装槽(201)与凸块(402)相匹配，所述转轴(3)配合安装在第一插接孔(202)与第二插接孔(403)之间。
5.根据权利要求3所述的一种自旋极化耦合的GaN MOSFET，其特征在于：所述连接柱(404)固定连接在弹簧(5)的顶端，所述弹簧(5)的底端固定连接第二引脚(6)。
6.根据权利要求3所述的一种自旋极化耦合的GaN MOSFET，其特征在于：所述连接柱(404)在水平面上的正投影形状与第二引脚(6)在水平面上的正投影形状相同。
7.根据权利要求1所述的一种自旋极化耦合的GaN MOSFET，其特征在于：所述连接块(4)、所述弹簧(5)和所述第二引脚(6)的长度之和为GaN MOSFET(1)厚度的二分之一。
8.根据权利要求1所述的一种自旋极化耦合的GaN MOSFET，其特征在于：所述连接块(4)与所述第二引脚(6)的连接处外壁套接有绝缘外包套(7)。
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