[发明专利]一种自旋极化耦合的GaN MOSFET

说明书

本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种自旋极化耦合的GaNMOSFET，包括GaNMOSFET，所述GaNMOSFET的底部电性连接有第一引脚，所述第一引脚的底端通过转轴转动连接连接块，所述连接块的底端通过弹簧弹性连接第二引脚。本发明通过在连接块与第二引脚之间设置弹簧，可以有效的增加抗振性能，当安装GaNMOSFET设备发生振动后，弹簧可以吸收部分动能，从而第一引脚或者第二引脚因振动而导致与设备断开连接的情况；本发明设置的第一引脚与连接块转动连接，安装好GaNMOSFET后，可以将GaNMOSFET弯折收起，不仅可以降低GaNMOSFET的重心，减小振动影响，同时也可以缩小安装空间。

技术领域

本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种自旋极化耦合的GaN MOSFET。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOSFET，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

现有的GaN MOSFET的引脚通常为一体化结构设计，防振能力弱，当安装GaNMOSFET发生振动时，引脚部分很容易接触不了，从而引发设备故障。

发明内容

本发明的目的在于提供一种自旋极化耦合的GaN MOSFET，以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种自旋极化耦合的GaNMOSFET，包括GaN MOSFET，所述GaN MOSFET的底部电性连接有第一引脚，所述第一引脚的底端通过转轴转动连接连接块，所述连接块的底端通过弹簧弹性连接第二引脚。

优选的，所述第一引脚的底部开设有安装槽，所述安装槽的两侧均开设有第一插接孔。

优选的，所述连接块包括锡块、凸块、第二插接孔和连接柱，所述锡块的顶部固定连接有凸块，所述锡块的底部固定连接连接柱，所述凸块开设有第二插接孔。

优选的，所述安装槽与凸块相匹配，所述转轴配合安装在第一插接孔与第二插接孔之间。

优选的，所述连接柱固定连接在弹簧的顶端，所述弹簧的底端固定连接第二引脚。

优选的，所述连接柱在水平面上的正投影形状与第二引脚在水平面上的正投影形状相同。

优选的，所述连接块、所述弹簧和所述第二引脚的长度之和为GaN MOSFET厚度的二分之一。

优选的，所述连接块与所述第二引脚的连接处外壁套接有绝缘外包套。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

本发明通过在连接块与第二引脚之间设置弹簧，可以有效的增加抗振性能，当安装GaN MOSFET设备发生振动后，弹簧可以吸收部分动能，从而第一引脚或者第二引脚因振动而导致与设备断开连接的情况。

本发明设置的第一引脚与连接块转动连接，安装好GaN MOSFET后，可以将GaNMOSFET弯折收起，不仅可以降低GaN MOSFET的重心，减小振动影响，同时也可以缩小安装空间。

当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

图1为本发明整体结构示意图；

图2为本发明绝缘外包套剖视图；

图3为本发明第一引脚局部结构示意图；

图4为本发明连接块局部结构示意图。