[发明专利]新型微型LED封装结构及其封装方法

说明书

本发明提供了一种新型微型LED封装结构及其封装方法，其中，LED封装结构包括：倒装LED芯片；围设于倒装LED芯片四周发光侧表面的第一芯片保护层；于倒装LED芯片电极相对的发光侧设置于第一芯片保护层和倒装LED芯片发光侧表面的荧光胶层；于倒装LED芯片电极侧分别设置于芯片电极及电极对应一侧第一芯片保护层表面的刚性支撑层，刚性支撑层由芯片电极向其对应一侧第一芯片保护层的方向延伸；及设置于刚性支撑层表面的焊接金属层。有效解决现有微型LED邦定作业中易出现的芯片偏移、翻转等不良问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种新型微型LED封装结构及其封装方法。

背景技术

微型LED是将传统的LED结构薄膜化、微小化及矩阵化之后，采用CMOS集成电路工艺制成驱动电路，实现LED背光源中每个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于微型LED技术的亮度、对比度、反应时间、可视角度、分辨率等各种指标都强于LCD和OLED技术，加上自发光、结构简单、体积小及节能的优点，已经受到了广泛的关注。

从工艺路线上看，微型LED的封装一般采用小尺寸倒装芯片和基板进行邦定(Bonding)作业之后进一步进行胶水的封装操作完成。对于微米级的微型LED来说，芯片焊盘面积较小，且基板上的焊盘面积相对芯片焊盘面积较大，在Bonding过程中，极易出现芯片偏移、翻转等不良，严重影响封装效率和产品良率。

发明内容

为了克服以上不足，本发明提供了一种新型微型LED封装结构及其封装方法，有效解决现有微型LED邦定作业中易出现的芯片偏移、翻转等不良问题。

本发明提供的技术方案为：

一种新型微型LED封装结构，包括：

倒装LED芯片；

围设于所述倒装LED芯片四周发光侧表面的第一芯片保护层；

于所述倒装LED芯片电极相对的发光侧设置于所述第一芯片保护层和倒装LED芯片发光侧表面的荧光胶层；

于所述倒装LED芯片电极侧分别设置于芯片电极及电极对应一侧第一芯片保护层表面的刚性支撑层，所述刚性支撑层由芯片电极向其对应一侧第一芯片保护层的方向延伸；及

设置于所述刚性支撑层表面的焊接金属层。

进一步优选地，在所述新型微型LED封装结构中，单侧刚性支撑层的面积大于芯片电极的面积。

进一步优选地，所述新型微型LED封装结构中还包括粘附金属层，设置于芯片电极及电极对应一侧第一芯片保护层表面，由芯片电极向其对应一侧第一芯片保护层的方向延伸，且单侧粘附金属层的面积大于芯片电极的面积；所述刚性支撑层设置于所述粘附金属层表面；和/或

所述新型微型LED封装结构中还包括阻挡金属层，设置于刚性支撑层和焊接金属层之间。

进一步优选地，所述新型微型LED封装结构中还包括设置于所述倒装LED芯片电极侧第一芯片保护层表面的第二芯片保护层，所述第二芯片保护层的高度不高于芯片电极的高度；

所述刚性支撑层设置于芯片电极及电极对应一侧第二芯片保护层表面，由芯片电极向其对应一侧第二芯片保护层的方向延伸，且单侧刚性支撑层的面积大于芯片电极的面积。

进一步优选地，所述第二芯片保护层的材料与所述第一芯片保护层的材料相同；或所述第二芯片保护层为掺杂有光反射颗粒的光反射层。

进一步优选地，所述新型微型LED封装结构还包括填充于所述倒装LED芯片电极之间绝缘层，所述绝缘层的高度不高于芯片电极的高度。

进一步优选地，所述绝缘层的材料与所述第二芯片保护层的材料相同。