[发明专利]具有共用金属栅极并且具有带有偶极子层的栅极电介质的环绕栅集成电路结构的制造

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

水平纳米线的第一垂直布置；

水平纳米线的第二垂直布置；

在所述水平纳米线的第一垂直布置之上的第一栅极堆叠体，所述第一栅极堆叠体是在第一栅极电介质上具有P型导电层的PMOS栅极堆叠体，所述第一栅极电介质包括在第一偶极子材料层上的高k电介质层；以及

在所述水平纳米线的第二垂直布置之上的第二栅极堆叠体，所述第二栅极堆叠体是在第二栅极电介质上具有所述P型导电层的NMOS栅极堆叠体，所述第二栅极电介质包括在第二偶极子材料层上的所述高k电介质层。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述高k电介质层是HfO₂层。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述第一偶极子层包括选自以下材料构成的组的材料：Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、HfO₂、La₂O₃、Y₂O₃、MgO、SrO和Lu₂O₃，并且所述第二偶极子层包括选自以下材料构成的组的材料：Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、HfO₂、La₂O₃、Y₂O₃、MgO、SrO和Lu₂O₃。

4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述第一偶极子层或所述第二偶极子层中的一个具有在1-3埃的范围内的厚度。

5.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述第一偶极子层或所述第二偶极子层中的一个具有在4-6埃的范围内的厚度。

6.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述P型导电层在所述第一栅极堆叠体和所述第二栅极堆叠体之间是连续的。

7.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括：

在所述水平纳米线的第一垂直布置的第一端和第二端处的第一对外延源极或漏极结构；以及

在所述水平纳米线的第二垂直布置的第一端和第二端处的第二对外延源极或漏极结构。

8.根据权利要求7所述的集成电路结构，还包括：

在所述第一对外延源极或漏极结构上的第一对导电触点；以及

在所述第二对外延源极或漏极结构上的第二对导电触点。

9.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中，所述第一对外延源极或漏极结构和所述第二对外延源极或漏极结构是第一对非分立的外延源极或漏极结构和第二对非分立的外延源极或漏极结构。

10.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中，所述第一对外延源极或漏极结构和所述第二对外延源极或漏极结构是第一对分立的外延源极或漏极结构和第二对分立的外延源极或漏极结构。