[发明专利]非易失性存储器装置及对其单元进行计数的方法在审

专利信息
申请号: 202110966900.1 申请日: 2021-08-23
公开(公告)号: CN114255797A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 金珉奭;金炯坤 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C8/04 分类号: G11C8/04;G11C7/06;G11C16/08
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 黄晓燕;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 装置 单元 进行 计数 方法
【说明书】:

公开了非易失性存储器装置及对其单元进行计数的方法。在对非易失性存储器装置中的存储器单元的数量进行计数的方法中,将用于单元计数操作的测量窗的测量范围和多个测量区间分别设置为第一范围和多个第一区间。所述多个测量区间包括在测量范围中。基于测量窗对包括在存储器单元阵列的第一区域中的第一存储器单元执行第一感测操作。在测量范围的宽度和多个测量区间中的每个的宽度被保持的同时,执行用于移位测量窗的第一移位操作。基于通过第一移位操作移位的测量窗对第一存储器单元执行第二感测操作。基于第一感测操作的结果和第二感测操作的结果来获得第一存储器单元的最终计数值。

本申请要求于2020年9月23日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2020-0122979号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

示例实施例总体涉及半导体集成电路,更具体地,涉及对非易失性存储器装置中的单元的数量进行计数的方法以及执行对单元的数量进行计数的方法的非易失性存储器装置。

背景技术

半导体存储器装置通常可根据它们在断电时是否保持存储的数据而被划分为两个类别。这些类别包括易失性存储器装置和非易失性存储器装置,易失性存储器装置在断电时丢失存储的数据,非易失性存储器装置在断电时保持存储的数据。易失性存储器装置可高速执行读取操作和写入操作,而存储在其中的内容可在断电时丢失。即使在断电时,非易失性存储器装置也可保持存储在其中的内容,这表示它们可用于存储不管它们是否被供电都必须保持的数据。当对非易失性存储器装置执行编程操作和/或擦除操作时,可需要对满足特定条件的存储器单元的数量进行计数。

发明内容

本公开的示例实施例提供一种对非易失性存储器装置中的存储器单元的数量进行计数的方法,能够在相对短的时间内对存储器单元的数量进行有效计数。

本公开的示例实施例提供一种执行对存储器单元的数量进行计数的方法的非易失性存储器装置。

根据示例实施例,在对非易失性存储器装置的存储器单元阵列中的存储器单元的数量进行计数的方法中,将用于单元计数操作的测量窗的测量范围和多个测量区间分别设置为第一范围和多个第一区间。所述多个测量区间包括在测量范围中。基于测量窗对包括在存储器单元阵列的第一区域中的第一存储器单元执行第一感测操作。在测量范围的宽度和所述多个测量区间中的每个的宽度被保持的同时,执行用于移位测量窗的第一移位操作。基于通过第一移位操作移位的测量窗对第一存储器单元执行第二感测操作。基于第一感测操作的结果和第二感测操作的结果来获得第一存储器单元的最终计数值。测量范围和所述多个测量区间中的每个表示与最终计数值相关联的存储器单元的数量。

根据示例实施例,一种非易失性存储器装置包括存储器单元阵列和控制电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元。控制电路将用于单元计数操作的测量窗的测量范围和多个测量区间分别设置为第一范围和多个第一区间,基于测量窗对包括在存储器单元阵列的第一区域中的第一存储器单元执行第一感测操作,在测量范围的宽度和所述多个测量区间中的每个的宽度被保持的同时,执行用于移位测量窗的第一移位操作,基于通过第一移位操作移位的测量窗对第一存储器单元执行第二感测操作,以及基于第一感测操作的结果和第二感测操作的结果来获得第一存储器单元的最终计数值。所述多个测量区间包括在测量范围中。

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