[发明专利]具有间隔体沉积前切割栅极的全环栅集成电路结构的制造

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

水平纳米线的第一垂直布置；

水平纳米线的第二垂直布置；

在所述水平纳米线的第一垂直布置之上的第一栅极堆叠体；

在所述水平纳米线的第二垂直布置之上的第二栅极堆叠体，所述第二栅极堆叠体的一端与所述第一栅极堆叠体的一端间隔开一间隙；以及

电介质结构，其包括沿所述第一栅极堆叠体的侧壁形成栅极间隔体的第一部分、沿所述第二栅极堆叠体的侧壁形成栅极间隔体的第二部分、以及完全填充所述间隙的第三部分，所述第三部分与所述第一部分和所述第二部分连续。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

在所述水平纳米线的第一垂直布置的第一端和第二端处的第一对外延源极或漏极结构；以及

在所述水平纳米线的第二垂直布置的第一端和第二端处的第二对外延源极或漏极结构。

3.根据权利要求2所述的集成电路结构，还包括：

在所述第一对外延源极或漏极结构上的第一对导电接触部；以及

在所述第二对外延源极或漏极结构上的第二对导电接触部。

4.根据权利要求2或3所述的集成电路结构，其中，所述第一对外延源极或漏极结构和所述第二对外延源极或漏极结构是第一对非分立的外延源极或漏极结构和第二对非分立的外延源极或漏极结构。

5.根据权利要求2或3所述的集成电路结构，其中，所述第一对外延源极或漏极结构和所述第二对外延源极或漏极结构是第一对分立的外延源极或漏极结构和第二对分立的外延源极或漏极结构。

6.一种集成电路结构，包括：

水平纳米线的第一垂直布置；

水平纳米线的第二垂直布置；

在所述水平纳米线的第一垂直布置之上的栅极堆叠体；

在所述水平纳米线的第二垂直布置之上的栅极插塞，所述栅极插塞的一端与所述栅极堆叠体的一端间隔开一间隙；以及

电介质结构，其包括沿所述栅极堆叠体的侧壁形成栅极间隔体的第一部分、沿所述栅极插塞的侧壁形成间隔体的第二部分、以及完全填充所述间隙的第三部分，所述第三部分与所述第一部分和所述第二部分连续。

7.根据权利要求6所述的集成电路结构，还包括在所述电介质结构的所述第三部分和所述栅极插塞之间的接缝。

8.根据权利要求6或7所述的集成电路结构，还包括：

在所述水平纳米线的第一垂直布置的第一端和第二端处的第一对外延源极或漏极结构；以及

在所述水平纳米线的第二垂直布置的第一端和第二端处的第二对外延源极或漏极结构。

9.根据权利要求8所述的集成电路结构，还包括：

在所述第一对外延源极或漏极结构上的第一对导电接触部；以及

在所述第二对外延源极或漏极结构上的第二对导电接触部。

10.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一对外延源极或漏极结构和所述第二对外延源极或漏极结构是第一对非分立的外延源极或漏极结构和第二对非分立的外延源极或漏极结构。

11.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一对外延源极或漏极结构和所述第二对外延源极或漏极结构是第一对分立的外延源极或漏极结构和第二对分立的外延源极或漏极结构。