[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

等离子体处理腔室；

设置于所述等离子体处理腔室内的基片支承部；

设置于所述等离子体处理腔室的上部的天线；

生成源RF生成部，其构成为能够生成具有至少3个功率水平的生成源RF脉冲信号，其中，所述生成源RF脉冲信号的各功率水平为0以上；

第1偏置RF生成部，其构成为能够生成第1偏置RF脉冲信号，其中，所述第1偏置RF脉冲信号的频率比所述生成源RF脉冲信号的频率低，所述第1偏置RF脉冲信号具有至少2个功率水平，各功率水平为0以上；

第2偏置RF生成部，其构成为能够生成第2偏置RF脉冲信号，其中，所述第2偏置RF脉冲信号具有至少2个功率水平，各功率水平为0以上；

同步信号生成部，其构成为能够生成用于使所述生成源RF生成部、所述第1偏置RF生成部和所述第2偏置RF生成部相互同步的同步信号；

第1匹配电路，其与所述生成源RF生成部和所述天线连接，能够使所述生成源RF脉冲信号从所述生成源RF生成部经由所述第1匹配电路被供给到所述天线；和

第2匹配电路，其与所述第1偏置RF生成部、所述第2偏置RF生成部和所述基片支承部连接，能够使所述第1偏置RF脉冲信号从所述第1偏置RF生成部经由所述第2匹配电路被供给到所述基片支承部，且能够使所述第2偏置RF脉冲信号从所述第2偏置RF生成部经由所述第2匹配电路被供给到所述基片支承部。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第2偏置RF脉冲信号的频率与所述第1偏置RF脉冲信号的频率不同。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第2偏置RF脉冲信号的频率比所述第1偏置RF脉冲信号的频率低。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述同步信号生成部配置在所述生成源RF生成部、所述第1偏置RF生成部和所述第2偏置RF生成部中的任一者。

5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第1偏置RF生成部构成为能够使所述第1偏置RF脉冲信号的功率水平的变化时机相对于所述生成源RF脉冲信号的功率水平的变化时机错开。

6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第2偏置RF生成部构成为，能够使所述第2偏置RF脉冲信号的功率水平的变化时机，相对于所述生成源RF脉冲信号的功率水平的变化时机和/或所述第1偏置RF脉冲信号的功率水平的变化时机错开。

7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第2偏置RF脉冲信号具有包含零功率水平的2个功率水平。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第1偏置RF脉冲信号在第1时间中具有比0大的功率水平，

所述第2偏置RF脉冲信号在所述第1时间中具有零功率水平。

9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第2匹配电路具有：

第1分离电路，其连接于所述第1偏置RF生成部与所述基片支承部之间，防止来自所述第2偏置RF生成部的第2偏置RF脉冲信号的耦合；和

第2分离电路，其连接于所述第2偏置RF生成部与所述基片支承部之间，防止来自所述第1偏置RF生成部的第1偏置RF脉冲信号的耦合。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第1分离电路是包含电容器和电感器的谐振电路，

所述第2分离电路是包含电感器的RF扼流电路。