[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

说明书

本发明提供使用3个电功率脉冲信号来提高处理性能的等离子体处理装置和等离子体处理方法，包括：生成至少3个功率水平的生成源RF脉冲信号的生成源RF生成部；第1及第2偏置RF生成部，其生成频率比生成源RF脉冲信号低的至少2个功率水平的第1及第2偏置RF脉冲信号；生成使生成源RF生成部、第1及第2偏置RF生成部同步的同步信号的同步信号生成部；第1匹配电路，其与生成源RF生成部和天线连接，使生成源RF脉冲信号从生成源RF生成部经由第1匹配电路被供给到天线；第2匹配电路，其与第1及第2偏置RF生成部和基片支承部连接，使第1及第2偏置RF脉冲信号从第1及第2偏置RF生成部经由第2匹配电路被供给到基片支承部。

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。

背景技术

例如，专利文献1提案了一种具有2个高频电源，并且对腔室上部的天线和下部电极(基座)供给2个频率的高频电功率的ICP(Inductively Coupled Plasma：电感耦合等离子体)装置。从2个高频电源中的一个高频电源对下部电极供给例如13MHz的频率的偏置用的高频电功率。在腔室的上方设置天线，从另一个高频电源对构成天线的外侧线圈的线路的中点或者其附近供给例如27MHz的等离子体激发用的高频电功率。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-67503号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供能够使用3个高频(RF：Radio Frequency)电功率脉冲来提高处理的性能的技术。

用于解决问题的技术手段

依照本发明的一个方式，提供一种等离子体处理装置，其包括：处理腔室；设置于所述处理腔室内的基片支承部；设置于所述处理腔室的上部的天线；生成源RF生成部，其构成为能够生成具有至少3个功率水平的生成源RF脉冲信号，其中，所述生成源RF脉冲信号的各功率水平为0以上；第1偏置RF生成部，其构成为能够生成第1偏置RF脉冲信号，其中，所述第1偏置RF脉冲信号的频率比所述生成源RF脉冲信号的频率低，所述第1偏置RF脉冲信号具有至少2个功率水平，各功率水平为0以上；第2偏置RF生成部，其构成为能够生成第2偏置RF脉冲信号，其中，所述第2偏置RF脉冲信号具有至少2个功率水平，各功率水平为0以上；同步信号生成部，其构成为能够生成用于使所述生成源RF生成部、所述第1偏置RF生成部和所述第2偏置RF生成部相互同步的同步信号；第1匹配电路，其与所述生成源RF生成部和所述天线连接，能够使所述生成源RF脉冲信号从所述生成源RF生成部经由所述第1匹配电路被供给到所述天线；和第2匹配电路，其与所述第1偏置RF生成部、所述第2偏置RF生成部和所述基片支承部连接，能够使所述第1偏置RF脉冲信号从所述第1偏置RF生成部经由所述第2匹配电路被供给到所述基片支承部，且能够使所述第2偏置RF脉冲信号从所述第2偏置RF生成部经由所述第2匹配电路被供给到所述基片支承部。

发明效果

依照一个方面，能够使用3个高频电功率脉冲信号来提高处理的性能。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子体处理系统的一个例子的截面示意图。

图2是表示实施方式的等离子体处理装置的一个例子的图。

图3是表示实施方式的2个偏置RF脉冲信号的匹配电路的一个例子的图。

图4是表示自由基、离子、电子温度、离子能量、副产物的一个例子的图。

图5是表示实施方式的2个频率的高频电功率脉冲的脉冲模式的图。

图6是表示实施方式的3个频率的高频电功率脉冲的脉冲模式的图。