[发明专利]一种复合型分立半导体晶体管

权利要求书

1.一种复合型分立半导体晶体管，其特征在于：包括两个金属-氧化物半导体场效应晶体管级联的共源共栅结构、级间电感以及偏置电路；

所述共源共栅结构中的两个晶体管分别为晶体管M1以及晶体管M2，所述晶体管M1的栅极和源极分别形成复合晶体管的栅极和源极；所述晶体管M1的漏极和晶体管M2的源级通过级间电感L连接在一起；所述晶体管M2的栅极通过电阻R与晶体管M2的漏极耦合在一起，并且共同形成复合晶体管的漏极；所述电阻R与电容C组成晶体管M2的栅极偏置电路。

2.根据权利要求1所述的复合型分立半导体晶体管，其特征在于：所述复合型分立半导体晶体管的加工工艺包括如下步骤：

步骤一：选取合适的晶体管尺寸及偏置状态；

步骤二：选取合适的级间电感；

步骤三：设计偏置电路；选取一个大电阻用来连接共栅晶体管的栅极和漏极，用于为共栅晶体管供电，且栅极偏置与漏极电压一致；

步骤四：版图布局与电磁仿真，根据搭建的原理图进行版图的布局，并进行联合仿真优化，最终得到最优的电路结构设计；

步骤五：选取合适的封装形式。

3.根据权利要求2所述的复合型分立半导体晶体管，其特征在于：在步骤一中：对于金属-氧化物半导体场效应晶体管，其尺寸包括栅宽和栅长；栅长取为最小，也就是工艺特征尺寸；栅宽由叉指数和单个叉指宽度确定，选择较小的宽度作为单个叉指宽度。

4.根据权利要求2所述的复合型分立半导体晶体管，其特征在于：在步骤五中，根据应用频率与应用场景的需求，选择封装外壳并且通过键合或者倒扣的形式将管芯与封装进行连接，最终得到复合分立晶体管。