[发明专利]一种θ/α复相纳米Al2 有效
申请号: | 202110974354.6 | 申请日: | 2021-08-24 |
公开(公告)号: | CN113788466B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 单英春;徐久军;姜志超;张笑儒;孙先念;韩晓光 | 申请(专利权)人: | 大连海事大学 |
主分类号: | C01B21/082 | 分类号: | C01B21/082;C04B35/58;C04B35/622;C04B35/626 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 赵淑梅;李馨 |
地址: | 116026 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 al base sub | ||
1.一种θ/α复相纳米Al2O3碳热还原氮化制备纯相γ-AlON粉体的方法,其特征在于:以θ-Al2O3和α-Al2O3组成的θ/α复相纳米Al2O3粉体为原料,以碳粉作为还原剂,在流动氮气环境中,通过碳热还原氮化法制备纯相的γ-AlON陶瓷粉体,具体步骤如下:
①原料混合:将θ/α复相Al2O3粉体和碳粉混合置于球磨罐中,在行星式球磨机上以150~200rpm球磨1~24h后,将料浆烘干造粒备用;
②碳热还原氮化:将步骤①所得纳米Al2O3和碳粉的混合粉体置于碳炉中,抽真空到10-3Pa,然后充氮气,根据碳源种类,通过一步升温或两步升温/保温合成AlON粉体;
③除碳:将步骤②所得AlON粉体在空气环境中600~680℃保温2~6h除去残余C;
④球磨:将步骤③所得AlON粉体在行星式球磨机上以150~200rpm球磨12~36h,获得用于制备AlON透明陶瓷的AlON粉体;
所述θ/α复相Al2O3粉体中,θ-Al2O3含量为65~85wt.%,α-Al2O3含量为15~35wt.%。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述θ/α复相Al2O3粉体的比表面积为40~80m2/g,平均粒径50nm。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述θ/α复相纳米Al2O3粉体可由制备Al2O3粉体阶段直接获得,或利用θ-Al2O3和α-Al2O3两种粉体混合而成,当采用θ-Al2O3和α-Al2O3粉体进行混合时,组成复相粉体的θ-Al2O3和α-Al2O3的平均粒径均应80nm。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述碳粉为活性炭粉体或纳米炭黑粉体,且所述活性炭粉体的平均粒径50μm,所述纳米炭黑粉体的平均粒径30nm,比表面积90m2/g。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述θ/α复相Al2O3与碳粉的混合粉体中,碳粉的含量为4.8-6.2wt.%。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述碳粉为活性炭粉体时,步骤②中所述两步升温/保温合成过程为,先以10℃/min首先升温至1500~1600℃保温1~2h,再继续升温至1700~1800℃保温1~2h。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述碳粉为纳米炭黑粉体时,步骤②中所述一步升温合成过程为,将步骤①所得纳米混合粉体直接以5~50℃/min升温至1750℃保温0.5~2h。
8.一种纯相γ-AlON透明陶瓷粉体,其特征在于:由权利要求1所述方法制备。
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