[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

鳍部，凸立于所述衬底上；

隔离层，位于所述鳍部侧部的衬底上，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，被所述隔离层露出的鳍部作为有效鳍部，且部分高度的所述有效鳍部作为第一部分鳍部，剩余高度的所述有效鳍部作为第二部分鳍部，所述第一部分鳍部更靠近所述隔离层，其中，所述第一部分鳍部的底部线宽小于所述第一部分鳍部的顶部线宽，且所述第二部分鳍部的顶部线宽小于所述第一部分鳍部的顶部线宽；

栅极结构，位于所述隔离层上，所述栅极结构横跨所述有效鳍部，并覆盖所述有效鳍部的部分顶部和部分侧壁；

侧墙，位于所述栅极结构的两侧并覆盖所述栅极结构的侧壁；

源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的有效鳍部中，且位于所述侧墙远离所述栅极结构的一侧。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分鳍部的底部线宽与所述第二部分鳍部的顶部线宽的差值为-1纳米至0.5纳米。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一部分鳍部的顶部线宽与所述第一部分鳍部的底部线宽的差值大于0.5纳米，且小于2纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二部分鳍部的高度大于所述有效鳍部的总高度的一半。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述有效鳍部的总高度与所述第二部分鳍部高度的差值为至

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部的材料包括硅、锗化硅、锗或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、以及覆盖所述栅介质层的栅电极层；所述栅介质层的材料包括HfO₂、ZrO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al₂O₃、SiO₂和La₂O₃中的一种或多种，所述栅电极层的材料包括TiN、TaN、Ta、Ti、TiAl、W、AL、TiSiN和TiAlC中的一种或多种。

8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，包括衬底、以及位于所述衬底上的鳍部材料层，所述鳍部材料层用于形成底部鳍部、以及位于所述底部鳍部顶面的有效鳍部；

刻蚀部分厚度的所述鳍部材料层，形成凸立于剩余鳍部材料层上的初始鳍部，且刻蚀时的纵向刻蚀速率与横向刻蚀速率的比值为第一刻蚀速率比；

刻蚀所述初始鳍部露出的剩余鳍部材料层，形成凸立于衬底上的鳍部，所述鳍部由下而上包括底部鳍部、第一部分鳍部和第二部分鳍部，所述第二部分鳍部和第一部分鳍部构成有效鳍部，其中，对所述初始鳍部露出的部分厚度的所述鳍部材料层进行第一刻蚀处理，用于形成所述有效鳍部，所述第一刻蚀的纵向刻蚀速率与横向刻蚀速率的比值为第二刻蚀速率比，所述第二刻蚀速率比小于所述第一刻蚀速率比，用于使所述第一部分鳍部的底部线宽小于所述第一部分鳍部的顶部线宽；

在所述鳍部侧部的所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述底部鳍部的侧壁，并露出所述有效鳍部。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀部分厚度的所述鳍部材料层的步骤中，所述初始鳍部侧壁与剩余鳍部材料层表面的夹角为钝角。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀速率比大于5:1，所述第二刻蚀速率比为3:1至5:1。