[发明专利]一种去除量子点发射图谱中杂质峰的方法

权利要求书

1.一种去除量子点发射图谱中杂质峰的方法，其特征在于，包括以下步骤：将量子点溶液进行冷冻处理以使杂质峰对应的物质沉淀，随后除去所述沉淀；

其中，所述量子点溶液中的量子点为II-VI族量子点，所述量子点的阳离子元素为镉，所述量子点溶液中的与量子点阳离子元素配位的第一配体为正磷酸十八酯；

冷冻处理的温度不超过0℃，冷冻处理的时间不低于30min；

所述量子点溶液中的与量子点阴离子配位的第二配体为三正辛基膦；

所述量子点溶液的制备包括：将经第一配体配位后的量子点阳离子元素提供物与经所述第二配体配位后的量子点阴离子元素提供物混合以形成具有所述量子点的纳米晶核的反应液，随后于280-320℃保温至所述反应液的波长移动至预设的主要激发波长；

所述量子点的纳米晶核的反应液经以下步骤得到：于25-35℃下，将所述量子点阳离子元素提供物及所述第一配体在溶剂中混合，随后升温至280-320℃再加入经所述第二配体配位后的量子点阴离子元素提供物；

所述杂质峰为量子点发射图谱中激发波长小于主要激发波长对应的峰；

冷冻处理前，还包括对所述量子点溶液进行清洗；清洗包括：将所述量子点溶液在萃取剂以及沉淀剂存在的条件下进行沉淀，随后除去沉淀物表面的杂质；其中，所述萃取剂包括正己烷、丙酮、乙酸乙酯或环己烷；所述沉淀剂包括甲醇或乙醇。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，冷冻处理的温度为-20℃至0℃。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，冷冻处理的温度为-10℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，冷冻处理的时间为30-60min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，升温过程包括：以18-22℃/min的升温速率，先升温至110-180℃，随后再升温至280-320℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，升温前，还包括对由所述量子点阳离子、所述第一配体以及所述溶剂的混合体系中吹扫氩气以除去所述混合体系中的氧。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，除去所述沉淀是将冷冻处理后的量子点溶液进行离心分离。