[发明专利]一种去除量子点发射图谱中杂质峰的方法

说明书

本发明公开了一种去除量子点发射图谱中杂质峰的方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：将量子点溶液进行冷冻处理以使杂质峰对应的量子点沉淀，随后除去沉淀；其中，量子点溶液中的量子点包括II‑VI族量子点和III‑V族量子点中的至少一种，量子点溶液中的与量子点阳离子元素配位的第一配体包括三正辛基氧膦、正磷酸十八酯或油酸。该方法能够有效去除量子点发射图谱中的杂质峰，有利于量子点的后期生长。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种去除量子点发射图谱中杂质峰的方法。

背景技术

量子点(QDs)又称半导体纳米晶，是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的纳米颗粒，直径约1-100nm。由于QDs具有较小的尺寸，使其具有特殊的小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应及宏观量子隧道效应。量子点表现出独特的光学特性，如量子产率高、荧光寿命长、消光系数大、光耐受性强、发射光谱窄和激发光谱范围较宽等。量子点的制备和应用引起了人们广泛的研究兴趣，在生物医学和光电子领域都拥有广阔的应用前景。

Cd-ODPA体系合成的量子点通常具有峰宽窄，波长可合成范围广的特点，因此，作为显示发光的用途通常会用该体系的CdSe量子点来进行后续的壳层生长，从而满足量子点在光致发光和电致发光上的应用。

但在用Cd-ODPA体系合成的量子点时，当所需合成的CdSe量子点的激发波长越长时(即CdSe量子点尺寸越大)，CdSe继续外延生长所需要的布斯自由能越大，当外延生长所需要的吉布斯自由能大于自成核的吉布斯自由能时，反应体系中的前驱体更倾向于自成核，此时，主要激发波长为597nm的CdSe量子点发射图谱中，在472nm位置有个小尺寸的CdSe的发射峰，即为杂质峰。杂质峰在后期生长壳层的过程中，会造成各种不利的影响。

鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的在于提供一种去除量子发射图谱点中杂质峰的方法，其可有效去除量子点发射图谱中的杂质峰，有利于量子点的后期生长。

本申请可这样实现：

本申请提供了一种去除量子点中杂质峰的方法，包括以下步骤：将量子点溶液进行冷冻处理以使杂质峰对应的物质沉淀，随后除去沉淀；

其中，量子点溶液中的量子点包括II-VI族量子点和III-V族量子点中的至少一种，量子点溶液中的用于与量子点阳离子元素配位的第一配体包括三正辛基氧膦、正磷酸十八酯或油酸。

在可选的实施方式中，冷冻处理的温度最高不超过0℃，优选为-20℃至0℃，更优为-10℃。

在可选的实施方式中，冷冻处理的时间不低于30min，优选为30-60min。

在可选的实施方式中，量子点为二元量子点。

在优选的实施方式中，量子点的阳离子元素为镉，第一配体为三正辛基氧膦。

在可选的实施方式中，杂质峰为量子点发射图谱中激发波长小于主要激发波长对应的峰。

在可选的实施方式中，量子点溶液中的与量子点阴离子配位的第二配体包括三正辛基膦、三丁基膦或二苯基膦。

在可选的实施方式中，量子点溶液的制备包括：将经第一配体配位后的量子点阳离子元素提供物与经第二配体配位后的量子点阴离子元素提供物混合以形成具有量子点的纳米晶核的反应液，随后于280-320℃保温至反应液的波长移动至预设的主要激发波长；其中，第二配体包括三正辛基膦。

在可选的实施方式中，量子点的纳米晶核的反应液经以下步骤得到：于25-35℃下，将量子点阳离子元素提供物及第一配体在溶剂中混合，随后升温至280-320℃再加入经第二配体配位后的量子点阴离子元素提供物。