[发明专利]一种制备高密度锡掺杂氧化铟坯体的工艺在审

专利信息
申请号: 202110979193.X 申请日: 2021-08-25
公开(公告)号: CN113699492A 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 蔡精敏 申请(专利权)人: 蔡精敏
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 570000 海*** 国省代码: 海南;46
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 高密度 掺杂 氧化 铟坯体 工艺
【权利要求书】:

1.一种制备高密度锡掺杂氧化铟坯体的工艺,其特征在于,包括以下步骤:

步骤S1,将甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)和溶剂甲苯按照等体积的比例混合,并加入分散剂聚碳酸酯,配成得到预混液;

步骤S2,称取气化ITO粉体;

步骤S3,将气化ITO粉体加入预混液中,并且将与气化ITO粉体等质量的球磨球一起加入预混液中,充分混合后球磨,制得浆料;

步骤S4,向浆料中加入引发剂过氧化苯甲酰(BPO)和催化剂N,N-二甲基乙酰胺(DMA),搅拌均匀后迅速注模,把模具置于水浴锅中,有机单体发生凝胶化反应,生成三维网状结构,将气化ITO粉体包裹其中,形成由高分子网络定型的坯体;

步骤S5,经过脱模干燥,得到无变形无开裂的表面质量较好的坯体;

步骤S6,将上述坯体在烧结,制得ITO靶材。

2.根据权利要求1所述的制备高密度锡掺杂氧化铟坯体的工艺,其特征在于,所述气化ITO粉体在预混液中的固相含量为90%。

3.根据权利要求2所述的制备高密度锡掺杂氧化铟坯体的工艺,其特征在于,所述坯体在温度1530℃和欠氧环境的马弗炉中进行烧结,制得ITO靶材。

4.根据权利要求3所述的制备高密度锡掺杂氧化铟坯体的工艺,其特征在于,所述气化ITO粉体平均粒径为50nm、其按重量份的配比是氧化铟:氧化锡=90:10。

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