[发明专利]一种制备高密度锡掺杂氧化铟坯体的工艺在审
申请号: | 202110979193.X | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN113699492A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 蔡精敏 | 申请(专利权)人: | 蔡精敏 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 570000 海*** | 国省代码: | 海南;46 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 高密度 掺杂 氧化 铟坯体 工艺 | ||
1.一种制备高密度锡掺杂氧化铟坯体的工艺,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1,将甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)和溶剂甲苯按照等体积的比例混合,并加入分散剂聚碳酸酯,配成得到预混液;
步骤S2,称取气化ITO粉体;
步骤S3,将气化ITO粉体加入预混液中,并且将与气化ITO粉体等质量的球磨球一起加入预混液中,充分混合后球磨,制得浆料;
步骤S4,向浆料中加入引发剂过氧化苯甲酰(BPO)和催化剂N,N-二甲基乙酰胺(DMA),搅拌均匀后迅速注模,把模具置于水浴锅中,有机单体发生凝胶化反应,生成三维网状结构,将气化ITO粉体包裹其中,形成由高分子网络定型的坯体;
步骤S5,经过脱模干燥,得到无变形无开裂的表面质量较好的坯体;
步骤S6,将上述坯体在烧结,制得ITO靶材。
2.根据权利要求1所述的制备高密度锡掺杂氧化铟坯体的工艺,其特征在于,所述气化ITO粉体在预混液中的固相含量为90%。
3.根据权利要求2所述的制备高密度锡掺杂氧化铟坯体的工艺,其特征在于,所述坯体在温度1530℃和欠氧环境的马弗炉中进行烧结,制得ITO靶材。
4.根据权利要求3所述的制备高密度锡掺杂氧化铟坯体的工艺,其特征在于,所述气化ITO粉体平均粒径为50nm、其按重量份的配比是氧化铟:氧化锡=90:10。
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