[发明专利]一种镍蒸发料的制备方法

说明书

本发明提供一种镍蒸发料的制备方法，所述制备方法包括依次进行的第一锻伸处理、第二锻伸处理、车削处理、第三锻伸处理、清洗处理以及研磨处理。所述制备方法减少了镍蒸发料的内部缺陷，同时提高镍蒸发料制备得到的镀膜的性能以及均匀性。

技术领域

本发明属于真空镀膜领域，涉及一种镍蒸发料的制备方法。

背景技术

半导体集成电路用的镍蒸发料是晶圆背金技术不可或缺的原料，但是，现有技术镍蒸发料的质量和性能较差，从而导致镀膜质量的下降。真空蒸镀技术广泛应用于晶圆的背金工艺以及封装镀膜中，半导体芯片对其蒸发料的纯度、表面质量要求极高，否则不仅会导致在真空蒸镀过程中产生Peeling、喷溅等缺陷甚至损毁机台，而且会导致膜的性能不均一，进而可能导致芯片报废。

CN113233871A公开了一种ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法，包括以下步骤：(1)将ITO残靶经过预处理，得预处理后的ITO残靶；(2)将所述预处理后的ITO残靶破碎，过筛，得破碎好的ITO粉末；(3)将所述破碎好的ITO粉末装入模具中，然后置于热压炉内，在50～100MPa下进行预压；(4)预压结束后，热压炉内抽真空到＜10Pa后，升温至600～1200℃，并保温50～80min，在保温的同时升压至100～200MPa保持30～50min，冷却，即得所述ITO蒸发料。

CN112872077A公开了一种高纯银蒸发料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将高纯银锭和挤压模具经预热后进行挤压作业，得到直径为8～10mm的中间料；(2)将中间料进行拉拔处理，得到直径为3～6mm的所述高纯银蒸发料。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供一种镍蒸发料的制备方法，所述制备方法减少了镍蒸发料的内部缺陷，同时提高镍蒸发料制备得到的镀膜的性能以及均匀性。

为达到上述技术效果，本发明采取以下技术方案：

本发明提供一种镍蒸发料的制备方法，＝所述制备方法包括依次进行的第一锻伸处理、第二锻伸处理、车削处理、第三锻伸处理、清洗处理以及研磨处理。

本发明中，通过对镍蒸发料的原料进行合理的塑性处理，减少了原料内部的缺陷，同时配合清洗处理以及眼膜处理提高得到的镀膜的均匀性。

作为本发明优选的技术方案，所述第一锻伸处理为将坯料锻打至原横向尺寸的48～52％，如48.5％、49％、49.5％、50％、50.5％、51％或51.5％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

优选地，所述第一锻伸处理的温度为890～910℃，如892℃、895℃、898℃、900℃、902℃、905℃或908℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述第二锻伸处理为将所述第一锻伸处理后的坯料锻打至原横向尺寸的50～86％，如55％、60％、65％、70％、75％、80％或85％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

优选地，所述第二锻伸处理的温度为390～410℃，如392℃、395℃、398℃、400℃、402℃、405℃或408℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述车削处理为车削所述第二锻伸处理后的坯料表面至不低于原横向尺寸的75％，如95％、90％、85％或80％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述第三锻伸处理为所述车削处理后的坯料拉拔至原横向尺寸的8～22％，如9％、10％、12％、15％、18％、20％或21％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，所述清洗处理为超声清洗处理。