[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
申请号: | 202110981153.9 | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN114141655A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 御所真高;山本周;浦智仁;冈村聪 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基片处理装置,其特征在于:
通过将形成于基片的干燥液的液膜置换为超临界流体,来使所述基片干燥,
所述基片处理装置包括:
压力容器,其在内部收纳形成有所述液膜的所述基片;
排出管线,其将所述压力容器的内部的流体排出;
减压阀,其设置在所述排出管线的中途;和
浓度测量部,其测量在所述排出管线中流动的流体中的所述干燥液的蒸汽的浓度,
所述浓度测量部设置在比所述排出管线的所述减压阀靠下游处,测量由所述减压阀减压了的流体中的所述干燥液的浓度。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于,包括:
存储部,其存储由所述浓度测量部按每单位时间测量出的所述浓度的随时间变化数据;和
干燥结束检测部,其基于存储在所述存储部中的所述随时间变化数据,检测所述基片的干燥结束。
3.如权利要求2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述存储部预先存储有所述随时间变化数据的基准数据,
所述基准数据是将从由所述排出管线开始排出流体起的经过时间与由所述浓度测量部测量的所述浓度相关联的数据,
所述干燥结束检测部从所述基准数据设定检测所述基片的干燥结束的结束检测时间和结束检测浓度,在干燥所述基片的过程中所述经过时间到达所述结束检测时间的时刻检测所述浓度,通过检测出所检测的所述浓度为所述结束检测浓度以下,检测出所述基片的干燥结束。
4.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于,包括:
存储部,其存储由所述浓度测量部按每单位时间测量出的所述浓度的随时间变化数据;和
干燥异常检测部,其基于存储在所述存储部中的所述随时间变化数据,检测所述基片的干燥异常。
5.如权利要求4所述的基片处理装置,其特征在于:
所述存储部预先存储有所述随时间变化数据的基准数据,
所述基准数据是将从由所述排出管线开始排出流体起的经过时间与由所述浓度测量部测量的所述浓度相关联的数据,
所述干燥异常检测部在所述基准数据中检测所述浓度达到最高浓度的到达时间,检测在干燥所述基片的过程中所述经过时间到达所述到达时间的时刻的所述浓度,并将所检测的浓度与所述最高浓度进行比较,检测所述液膜的量的异常。
6.如权利要求4所述的基片处理装置,其特征在于:
所述存储部预先存储有所述随时间变化数据的基准数据,
所述基准数据是将从由所述排出管线开始排出流体起的经过时间与由所述浓度测量部测量的所述浓度相关联的数据,
所述干燥异常检测部从所述基准数据设定所述基片的异常检测时间和异常检测浓度,检测在干燥所述基片的过程中所述经过时间到达所述异常检测时间的时刻的所述浓度,通过将所检测的浓度与所述异常检测浓度进行比较,检测所述基片的干燥时间的长度的异常。
7.如权利要求3、5、6中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
包括基准数据制作部,其通过将过去多次测量出的所述随时间变化数据平均化,来制作所述基准数据。
8.如权利要求3、5、6中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
包括基准数据制作部,其基于在所述基片的上表面预先形成的所述干燥液的所述液膜的量、所述压力容器的容积、所述压力容器的内部压力和来自所述压力容器的流体的排出流量,制作所述基准数据。
9.如权利要求8所述的基片处理装置,其特征在于:
所述基准数据制作部基于所述排出管线的容积,计算流体从所述压力容器移动至所述浓度测量部的移动时间,校正所述基准数据。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造