[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
申请号: | 202110981153.9 | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN114141655A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 御所真高;山本周;浦智仁;冈村聪 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供基片处理装置和基片处理方法,其能够简化对在排出管线中流动的流体中的干燥液的浓度进行测量的浓度测量部的结构。基片处理装置通过将形成于基片的干燥液的液膜置换为超临界流体,来使上述基片干燥。基片处理装置包括压力容器、排出管线、减压阀和浓度测量部。上述压力容器在内部收纳形成有上述液膜的上述基片。上述排出管线将上述压力容器的内部的流体排出。上述减压阀设置在上述排出管线的中途。上述浓度测量部测量在上述排出管线中流动的流体中的上述干燥液的浓度。上述浓度测量部设置在比上述排出管线的上述减压阀靠下游处,测量由上述减压阀减压了的流体中的上述干燥液的浓度。
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
专利文献1中记载的基片处理装置包括干燥处理部、排出管线、获取部和检测部。干燥处理部通过使表面被液体润湿的状态的基片与超临界流体接触而将液体置换为超临界流体,来进行基片的干燥处理。排出管线设置在干燥处理部,从干燥处理部排出流体。获取部设置在排出管线,对从干燥处理部排出的流体获取光学信息。获取部设置于比背压阀靠上游处。检测部基于由获取部获取到的光学信息来检测干燥处理部内是否存在液体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2018/173861号
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的一个方式提供使测量在排出管线中流动的流体中的干燥液的浓度的浓度测量部的结构简化的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置通过将形成于基片的干燥液的液膜置换为超临界流体,以使所述基片干燥。基片处理装置包括压力容器、排出管线、减压阀和浓度测量部。上述压力容器在内部收纳形成有上述液膜的上述基片。上述排出管线将上述压力容器的内部的流体排出。上述减压阀设置在上述排出管线的中途。上述浓度测量部测量在上述排出管线中流动的流体中的上述干燥液的浓度。上述浓度测量部设置在比上述排出管线的上述减压阀靠下游处,测量由上述减压阀减压了的流体中的上述干燥液的浓度。
发明效果
依照本发明的一个方式,能够使测量在排出管线中流动的流体中的干燥液的浓度的浓度测量部的结构简化。
附图说明
图1是一实施方式的基片处理装置的图。
图2是表示图1的压力容器的立体图。
图3是表示一实施方式的基片处理方法的流程图。
图4是表示由浓度测量部测量的浓度的随时间变化数据和基准数据的图。
图5是以功能模块表示控制装置的结构要素的一个例子的图。
图6是表示由干燥结束检测部进行的处理的一个例子的流程图。
图7是表示由干燥异常检测部进行的处理的一个例子的流程图。
图8是表示由泄漏检测部进行的处理的一个例子的流程图。
附图标记说明
1 基片处理装置
21 压力容器
53 减压阀
70 浓度测量部
L2 排出管线。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的实施方式进行说明。此外,对各图中相同或相应的结构标注相同的附图标记,有时省略说明。在本说明书中,上游是指超临界流体的流动方向上游,下游是指超临界流体的流动方向下游。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110981153.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:液处理方法和液处理装置
- 下一篇:显示装置以及制造显示装置的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造