[发明专利]一种声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器在审
| 申请号： | 202110982128.2 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113541637A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 宋崇希;王放;姚艳龙;邱鲁岩 | 申请（专利权）人： | 江苏卓胜微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/64;H03H9/02;H03H9/145;H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 岳晓萍 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面波 谐振器 及其 制备 方法 滤波器 | ||
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：
压电层；
介质层，位于所述压电层上；
电极层，位于所述介质层远离所述压电层的一侧；所述电极层包括叉指换能器；
所述声表面波谐振器的带宽随所述介质层的厚度增大而减小。
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述介质层的材料包括SiO2、Al2O3、AIN、Si3N4和MgO中的任一种。
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述介质层的厚度为5nm～50nm。
4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，还包括：
温度补偿层，位于所述电极层远离所述压电层的一侧；
保护层，位于所述温度补偿层远离所述压电层的一侧。
5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，还包括：
低声速层，位于所述压电层远离所述介质层的一侧；
支撑层，位于所述低声速层远离所述压电层的一侧；
所述低声速层中的声速小于所述压电层中的声速，所述支撑层中的声速大于所述压电层中的声速。
6.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料包括钽酸锂、铌酸锂和石英中的任一种。
7.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器的材料包括钛、铬、铜、银和铝中的至少一种。
8.一种声表面波谐振器的制备方法，用于制备权利要求1-7任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，包括：
形成压电层；
在所述压电层上形成介质层；
在所述介质层远离所述压电层的一侧形成电极层，所述电极层包括叉指换能器。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述介质层远离所述压电层的一侧形成电极层，所述电极层包括叉指换能器，包括：
在所述介质层远离所述压电层的一侧形成图案化的光刻胶层；
在所述光刻胶层以及所述介质层远离所述压电层的一侧形成电极层；
去除所述光刻胶层以及所述光刻胶层远离所述压电层一侧的部分所述电极层，形成所述叉指换能器。
10.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的声表面波谐振器。
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