[发明专利]一种声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器

说明书

本发明实施例公开了一种声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器，声表面波谐振器包括：压电层、介质层和电极层；介质层位于压电层上；电极层位于介质层远离压电层的一侧，电极层包括叉指换能器；声表面波谐振器的带宽随介质层的厚度增大而减小。本发明实施例的技术方案通过改进声表面波谐振器的结构实现其带宽的可调性，进而可以实现声表面波滤波器的带宽可调性，同时还可以实现声表面波滤波器的小型化，降低成本。

技术领域

本发明实施例涉及通信技术领域，尤其涉及一种声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器。

背景技术

随着通信技术从2G发展至5G，通信频段数目逐步增加(从2G的4个频段上升到5G的50余个频段)。为了提高智能手机对不同通信制式的兼容能力，5G智能手机所需要的滤波器用量将显著上升，推动滤波器市场大规模增长。目前无线通信终端中广泛应用的射频滤波器是声表面波(surface acoustic wave，SAW)滤波器(简称SAW滤波器)，负责接收和发射通道的射频信号，将输入的多种射频信号中特定频率的信号输出。同时，随着移动通讯技术的持续发展和射频前端模组化发展，市场对滤波器的需求趋向复杂化，高端化，小型化。

目前常用的调节SAW滤波器的带宽的方法是在声表面波谐振器的两端并联电容，通过调节电容的大小来调节滤波器的带宽。但目前市场对滤波器的需求趋于小型化，该方法由于电容本身占面积，不利于SAW滤波器的小型化，还会增加成本。

发明内容

本发明实施例提供一种声表面波谐振器及其制备方法、声表面波滤波器，通过改进声表面波谐振器的结构实现其带宽的可调性，进而可以实现声表面波滤波器的带宽可调性，同时还可以实现声表面波滤波器的小型化，降低成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种声表面波谐振器，包括：

压电层；

介质层，位于压电层上；

电极层，位于介质层远离压电层的一侧；电极层包括叉指换能器；

声表面波谐振器的带宽随介质层的厚度增大而减小。

可选的，介质层的材料包括SiO₂、Al₂O₃、AIN、Si₃N₄和MgO中的任一种。

可选的，介质层的厚度为5nm～50nm。

可选的，声表面波谐振器还包括：

温度补偿层，位于电极层远离压电层的一侧；

保护层，位于温度补偿层远离压电层的一侧。

可选的，声表面波谐振器还包括：

低声速层，位于压电层远离介质层的一侧；

支撑层，位于低声速层远离压电层的一侧；

低声速层中的声速小于压电层中的声速，支撑层中的声速大于压电层中的声速。

可选的，压电层的材料包括钽酸锂、铌酸锂和石英中的任一种。

可选的，叉指换能器的材料包括钛、铬、铜、银和铝中的至少一种。

第二方面，本发明实施例还提供了一种声表面波谐振器的制备方法，用于制备第一方面提供的声表面波谐振器，制备方法包括：

形成压电层；

在压电层上形成介质层；

在介质层远离压电层的一侧形成电极层，电极层包括叉指换能器。

可选的，在介质层远离压电层的一侧形成电极层，电极层包括叉指换能器，包括：