[发明专利]一种镁基空心纳米材料的制备方法

权利要求书

1.一种镁基空心纳米材料的制备方法，其特征在于，利用团簇束流沉积设备采用多靶磁控等离子体气体聚集法产生镁基空心纳米粒子，所述多靶等离子体气体聚集法使用至少包含一个溅射源是以镁为溅射靶材，一个溅射源是以钯为溅射靶材来进行共溅射；

所述制备方法的具体过程为：将镁靶材与钯靶材分别装载于团簇束流沉积设备的溅射源上，对团簇束流沉积设备抽取高真空，向团簇束流沉积设备的溅射腔中充入高纯度的惰性气体作为溅射气，向团簇束流沉积设备中充入高纯度的惰性气体作为缓冲气，且高纯氧气随缓冲气一起通入；在团簇束流沉积设备的至少两个等离子体磁控溅射源上分别施加电压，将其电离，加速，产生包含镁和钯的混合原子气，通过与大量惰性气体碰撞后，生长成为纳米颗粒，并且通过差分抽气的方法形成纳米颗粒的束流，最终将束流引向衬底表面上，继而制备出空心纳米材料；

以高纯氩气为溅射气体，质量流量范围为20~80 sccm；

以高纯氩气为缓冲气，质量流量范围为20~80 sccm；

高纯氧气随缓冲气一起通入，高纯氧气通入的质量流量范围为1~20 sccm，最终得到的空心纳米材料直径为50~500 nm。

2.如权利要求1所述的一种镁基空心纳米材料的制备方法，其特征在于，将镁靶材的溅射功率设置为20~50 W，其溅射电流为0.10~0.60 A，溅射电压为200~350 V。

3.如权利要求1所述的一种镁基空心纳米材料的制备方法，其特征在于将钯靶材的溅射功率设置为5~30 W，其溅射电流为0.10~0.50 A，溅射电压为150~300 V。