[发明专利]一种硅片清洗方法在审
| 申请号： | 202110982181.2 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113921374A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 鲁战锋;任新刚;张珊;迪大明 | 申请（专利权）人： | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 清洗 方法 | ||
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供盛装有清洗液的第一清洗槽，于第一预设清洗温度，在所述第一清洗槽内清洗硅片，以获得第一硅片；
提供盛装有阴极电解离子水的第二清洗槽，于第二预设清洗温度，在所述第二清洗槽内清洗所述第一硅片，以获得第二硅片；
提供至少一个盛装有所述清洗液的漂洗槽，于相应预设清洗温度，在所述漂洗槽内清洗所述第二硅片，以获得漂洗硅片；
其中，所述阴极电解离子水为通过电解池电解自来水得到，并且所述阴极电解离子水的成分包括H2O分子、OH-离子。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述漂洗槽的数量为两个，包括第三清洗槽和第四清洗槽；
于第三预设清洗温度，在所述第三清洗槽内清洗所述第二硅片，以获得第三硅片；
于第四预设清洗温度，在所述第四清洗槽内清洗所述第三硅片后，以预设速度将所述第三硅片从所述第四清洗槽中提拉出来，以获得所述漂洗硅片。
3.根据权利要求2所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述第三预设清洗温度为40-50℃，所述第四预设清洗温度为80-90℃。
4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述清洗液为自来水或纯水。
5.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，在所述提供盛装有阴极电解离子水的第二清洗槽，于第二预设清洗温度，在所述第二清洗槽内清洗所述第一硅片，以获得第二硅片之前，所述硅片清洗方法还包括：
制备所述阴极电解离子水，所述制备所述阴极电解离子水包括：
过滤自来水以得到过滤液，利用电解池电解所述过滤液，以得到所述阴极电解离子水。
6.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述硅片清洗方法还包括：提供超声波装置，在所述第一清洗槽、第二清洗槽、漂洗槽中均设置有所述超声波装置，利用所述超声波装置进行辅助清洗。
7.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述硅片清洗方法还包括：在提供盛装有所述清洗液的漂洗槽之前，设置两个所述第二清洗槽，利用所述阴极电解离子水对所述第一硅片进行两次重复清洗。
8.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述硅片清洗方法还包括：所述第一预设清洗温度为40-50℃。
9.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述硅片清洗方法还包括：所述第二预设清洗温度为50-60℃。
10.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述硅片清洗方法还包括：提供安装有烘干装置的烘干槽，在所述烘干槽内烘干所述漂洗硅片，烘干温度为100-110℃，烘干时间为3-5min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
