[发明专利]一种硅片清洗方法

说明书

本发明公开一种硅片清洗方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。该硅片清洗方法能够简化硅片清洗工序并降低清洗成本。该硅片清洗方法包括：于第一预设清洗温度，在第一清洗槽内利用清洗液清洗硅片，以获得第一硅片；于第二预设清洗温度，在第二清洗槽内利用阴极电解离子水清洗第一硅片，以获得第二硅片；于相应预设清洗温度，在漂洗槽内清洗所述第二硅片，以获得漂洗硅片；阴极电解离子水通过电解池电解自来水得到，并且阴极电解离子水的成分包括H₂O分子、OH^‑离子。

技术领域

本发明涉及单晶硅棒生产技术领域，尤其涉及一种硅片清洗方法。

背景技术

太阳能硅片在生产过程中，硅片表面附着有酯类有机物(如油脂)、金属颗粒和灰尘等杂质，因此需要进行硅片清洗，以提高硅片表面质量。

传统清洗方法是采用聚醚、表面活性剂、络合剂、碱等混合在一起的清洗剂来清洗硅片。这种方法包括清洗剂的调配工序、中间的清洗工序和后续的废液处理工序，清洗工序较多，并且清洗废液的处理导致清洗成本升高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅片清洗方法，该硅片清洗方法能够简化硅片清洗工序并降低清洗成本。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种硅片清洗方法，包括以下步骤：

提供盛装有清洗液的第一清洗槽，于第一预设清洗温度，在第一清洗槽内清洗硅片，以获得第一硅片；

提供盛装有阴极电解离子水的第二清洗槽，于第二预设清洗温度，在第二清洗槽内清洗第一硅片，以获得第二硅片；

提供至少一个盛装有清洗液的漂洗槽，于相应预设清洗温度，在漂洗槽内清洗第二硅片，以获得漂洗硅片；

其中，阴极电解离子水通过电解池电解自来水得到，并且阴极电解离子水的成分包括H₂O分子、OH^-离子。

通过上述技术方案，首先在第一清洗槽中利用清洗液对硅片进行初步清洗，洗去附着在硅片上的灰尘等杂质得到第一硅片；然后再利用阴极电解离子水呈碱性，其中的OH^-离子可以与硅片上附着的酯类有机物反应生成可溶解于水的物质的特点，在第二清洗槽中利用阴极电解离子水清洗第一硅片，从而达到去除第一硅片上的酯类有机物的目的，得到第二硅片；之后再利用清洗液清洗第二硅片，起到漂洗和冲刷硅片的作用。最终完成对硅片的清洗。一方面，直接使用自来水制备的阴极电解离子水中含有丰富的OH^-离子，可以直接用于清洗硅片，无需添加化学剂，与现有技术中使用化学清洗剂相比，省去了化学清洗剂的调配工序。另一方面，由于阴极电解离子水是通过电解池电解自来水得到，具有环保、无腐蚀性的优点，因此，在清洗硅片后的清洗废液，可以直接排放，利于降低清洗成本。第三方面，在使用阴极电解离子水清洗时，难以产生泡沫，后续使用较少的清洗液就可以将硅片漂洗干净。第四方面，阴极电解离子水还具有可以常温封存，成份和性能稳定，难以结晶的特点，方便批量生产或购买，利于降低清洗成本。因此，该硅片清洗方法能够简化硅片清洗工序并降低清洗成本。

在一种可能的实现方式中，漂洗槽的数量可以为两个，包括第三清洗槽和第四清洗槽；于第三预设清洗温度，在第三清洗槽内清洗第二硅片，以获得第三硅片；于第四预设清洗温度，在第四清洗槽内清洗第三硅片后，以预设速度将第三硅片从第四清洗槽中提拉出来，以获得漂洗硅片。采用该技术方案的情况下，一方面，可以使第二硅片被充分漂洗，利于将硅片清洗干净。另一方面，从第四清洗槽中提拉漂洗硅片时的预设速度可以在满足生产效率的前提下取值偏小，以使得在提拉过程中，硅片上附着的清洗液可以在重力作用下自由滑落，进而方便在下文描述的后续烘干步骤中，快速烘干漂洗硅片而得到表面质量合格的硅片。