[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审
申请号: | 202110982500.X | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN114141656A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 稻叶翔吾;川北直史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B05B13/02;B05D1/36;G03F7/30 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
1.一种基片处理装置,其特征在于:
所述基片处理装置在基片的包含正面的周缘和侧面在内的周缘部形成涂敷膜,包括:
基片保持部,其构成为能够以所述基片可旋转的方式保持所述基片;
第1药液供给部,其构成为能够对包含所述基片的背面在内的所述基片的周缘供给第1药液;
部分除去部,其将供给到所述基片上的所述第1药液中的、附着于所述基片的正面和侧面的至少一部分的所述第1药液除去;
第2药液供给部,其构成为能够对所述基片的正面和侧面供给用于形成所述涂敷膜的第2药液;
第1药液除去部,其将保留在附着了所述第2药液的所述基片上的所述第1药液除去;以及
控制部,其控制所述基片保持部、所述第1药液供给部、所述部分除去部、第2药液供给部和所述第1药液除去部。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
所述第1药液供给部包括设置于所述基片的背面侧的、对所述基片的周缘释放所述第1药液的第1喷嘴,
所述第2药液供给部包括设置于所述基片的正面侧的、对所述基片的正面和所述基片的侧面释放所述第2药液的第2喷嘴。
3.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
所述第1药液供给部包括设置于所述基片的正面侧的、对所述基片的周缘释放所述第1药液的第1喷嘴,
所述第2药液供给部包括设置于所述基片的正面侧的、对所述基片的正面和所述基片的侧面释放所述第2药液的第2喷嘴。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
所述部分除去部包括设置于所述基片的正面侧的、对所述基片上释放能够除去所述第1药液的溶剂的第3喷嘴,
所述控制部控制所述基片保持部和所述部分除去部,以使得在使所述基片旋转的状态下将所述溶剂释放到所述基片上。
5.如权利要求4所述的基片处理装置,其特征在于:
所述控制部控制所述基片保持部和所述第2药液供给部,以使得在使所述基片旋转的状态下供给所述第2药液,
利用所述第2药液供给部供给所述第2药液时的所述基片的转速,比利用所述部分除去部供给所述溶剂时的所述基片的转速小。
6.如权利要求4所述的基片处理装置,其特征在于:
所述第3喷嘴将所述溶剂雾状地喷到所述基片上。
7.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
所述部分除去部包括除去部件,所述除去部件能够在利用所述基片保持部使所述基片旋转的状态下与所述基片的正面和侧面抵接来除去所述第1药液。
8.一种基片处理方法,其特征在于:
所述基片处理方法在基片的包含正面的周缘和侧面在内的周缘部形成涂敷膜,包括:
对包含所述基片的背面在内的所述基片的周缘供给第1药液的步骤;
将供给到所述基片上的所述第1药液中的、附着于所述基片的正面和侧面的至少一部分的所述第1药液除去的步骤;
对所述基片的正面和侧面供给用于形成所述涂敷膜的第2药液的步骤;以及
将保留在附着了所述第2药液的所述基片上的所述第1药液除去的步骤。
9.一种计算机可读取的存储介质,其特征在于:
存储有用于使装置执行权利要求8所述的方法的程序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造