[发明专利]一种直拉单晶制程中的自动控制吸料方法

权利要求书

1.一种直拉单晶制程中的自动控制吸料方法，其特征在于，步骤包括：

获取已拉制完成的单晶硅棒的寿命值和电阻率，并继续操作正在拉制中的单晶硅棒；

判断所述已拉制完成的单晶硅棒的所述寿命值以及所述寿命值与所述电阻率之比，

若所述寿命值以及所述寿命值与所述电阻率之比均大于对应的设定值，则继续执行复投拉制程序；

若所述寿命值或/和所述寿命值与所述电阻率之比不大于对应的设定值，则执行取段吸料程序。

2.根据权利要求1所述的一种直拉单晶制程中的自动控制吸料方法，其特征在于，所述寿命值和所述电阻率均为所述已拉制完成的单晶硅棒头部的同一位置的测试值。

3.根据权利要求1或2所述的一种直拉单晶制程中的自动控制吸料方法，其特征在于，所述寿命值的设定值为120-125us。

4.根据权利要求3所述的一种直拉单晶制程中的自动控制吸料方法，其特征在于，所述寿命值与所述电阻率之比的设定值为150-250。

5.根据权利要求1-2、4任一项所述的一种直拉单晶制程中的自动控制吸料方法，其特征在于，所述取段吸料程序具体包括：

判断石英坩埚内的剩料是否在安全范围内；

若是，继续执行拉制单晶硅棒，直至石英坩埚内的剩料重量不大于25kg；若不是，停止单晶硅棒拉制，开始执行吸料工艺。

6.根据权利要求5所述的一种直拉单晶制程中的自动控制吸料方法，其特征在于，在执行吸料工艺之前，包括：

取出正在拉制的最后一颗单晶硅棒离开熔硅液面后，

控制石英坩埚的埚位降至设定吸料位置处；并

提高主加热器功率和底加热器功率；

当所述石英坩埚的转速降至1-2r/min时，

对所述正在拉制中的单晶硅棒自动执行冷却降温工艺。

7.根据权利要求6所述的一种直拉单晶制程中的自动控制吸料方法，其特征在于，所述提高主加热器功率和底加热器功率包括：

所述主加热器功率为较引晶时主加热功率高10-15kw，且

所述底加热器功率为较引晶时主加热功率高15-20kw；

吸料时所述主加热器功率和所述底加热器功率为固定值，直至吸料结束。

8.根据权利要求6或7所述的一种直拉单晶制程中的自动控制吸料方法，其特征在于，所述吸料工艺，步骤包括：

副室净化；

对用于吸料的吸料工装进行阶梯性预热；

吸取埚底剩料。

9.根据权利要求8所述的一种直拉单晶制程中的自动控制吸料方法，其特征在于，对所述吸料工件进行阶梯性预热的步骤包括：

预设至少两次对所述吸料工件进行静置预热，并随所述吸料工件下降深度的增加，每次静置预热的时间都较上一次延长4-10min；

控制所述吸料工装下降并判断所述吸料工装是否与液面接触；

当收到所述吸料工装的接触电压报警时，调整所述吸料工件向上提升1-5mm，再次静置预热一定时间；

再次控制所述吸料工件降至液面上，并判断所述吸料工件是否与液面接触；当收到所述吸料工装的接触电压报警时，调整所述石英坩埚的埚转为1r/min，预热完成。

10.根据权利要求9所述的一种直拉单晶制程中的自动控制吸料方法，其特征在于，在所述副室净化之前，还包括判断所述吸料工装悬吊是否稳定，步骤包括：

先识别并确定是否有所述吸料工装；

再判断所述吸料工装是否晃动；

若是，报警提示转为手动稳定控制；

若不是，执行所述副室净化程序。