[发明专利]光电转换元件及其制造方法

权利要求书

1.光电转换元件，其具备第1导电层、第2导电层和设于上述第1导电层及上述第2导电层之间且含有Sn及Pb的光电转换层，

上述光电转换层包含第1部分区域、上述第1部分区域与上述第2导电层之间的第2部分区域、和上述第2部分区域与上述第2导电层之间的第3部分区域，

上述第1部分区域具有第1Sn浓度和第1Pb浓度，

上述第2部分区域具有低于上述第1Sn浓度的第2Sn浓度和高于上述第1Pb浓度的第2Pb浓度的至少任一者，

上述第3部分区域包含Sn、氧和Pb。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，上述第3部分区域包含Sn与氧的键。

3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，上述第3部分区域包含Pb与碘的键。

4.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，上述光电转换层包含多个晶粒。

5.根据权利要求4所述的光电转换元件，其中，上述多个晶粒的一个具有钙钛矿型晶体结构。

6.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，上述第1部分区域不包含氧，或者上述第1部分区域中的氧的浓度为上述第3部分区域中的氧浓度的1/100以下，

上述第2部分区域不包含氧，或者上述第2部分区域中的氧的浓度为上述第3部分区域中的上述氧浓度的1/100以下。

7.根据权利要求1所述的光电转换元件，其进一步具备设于上述光电转换层与上述第2导电层之间的第2导电层侧中间层，

上述第3部分区域与上述第2导电层侧中间层相接。

8.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，上述光电转换层包含由A¹BX¹₃表示的化合物和由A²₂A¹_m-1B_mX¹_3m+1表示的化合物中的至少任一者，

上述A¹为包含选自Cs⁺、Rb⁺、K⁺、Na⁺、R¹NH₃⁺、R¹₂NH₂⁺和HC(NH₂)₂⁺中的至少一种的1价阳离子，

上述A¹中的上述R¹为选自氢、包含1以上且18以下的碳原子的直链状烷基、包含1以上且18以下的碳原子的支链状烷基、包含1以上且18以下的碳原子的环状烷基、取代的芳基、未取代的芳基、取代的杂芳基和未取代的杂芳基中的至少一种的1价基团，

上述A²为包含选自R¹NH₃⁺、R¹₂NH₂⁺、C(NH₂)₃⁺和R²C₂H₄NH₃⁺中的至少一种的1价阳离子，

上述A²中的上述R²为选自取代的芳基、未取代的芳基、取代的杂芳基和未取代的杂芳基中的至少一种的1价基团，

上述B为包含选自Pb²⁺和Sn²⁺中的至少一种的2价阳离子，

上述X¹为选自F^-、Cl^-、Br^-、I^-、SCN^-和CH₃COO^-中的至少一种的1价阴离子，

上述m为1以上且20以下的整数。