[发明专利]光电转换元件及其制造方法

说明书

本发明涉及光电转换元件及其制造方法。提供能改善特性的光电转换元件及其制造方法。根据实施方式，光电转换元件包含第1导电层、第2导电层和设于上述第1导电层及上述第2导电层之间且含有Sn及Pb的光电转换层。上述光电转换层包含第1部分区域、上述第1部分区域与上述第2导电层之间的第2部分区域、和上述第2部分区域与上述第2导电层之间的第3部分区域。上述第1部分区域具有第1Sn浓度和第1Pb浓度。上述第2部分区域具有低于上述第1Sn浓度的第2Sn浓度和高于上述第1Pb浓度的第2Pb浓度的至少任一者。上述第3部分区域包含Sn、氧和Pb。

本申请以日本专利申请第2021-035964(申请日2021年3月8日)为基础，由该申请享受优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及光电转换元件及其制造方法。

背景技术

例如，对于光电转换元件，追求特性的改善。

发明内容

本发明的实施方式提供能改善特性的光电转换元件及其制造方法。

用于解决课题的手段

根据本发明的实施方式，光电转换元件包含第1导电层、第2导电层和设于上述第1导电层及上述第2导电层之间且含有Sn及Pb的光电转换层。上述光电转换层包含第1部分区域、上述第1部分区域与上述第2导电层之间的第2部分区域、和上述第2部分区域与上述第2导电层之间的第3部分区域。上述第1部分区域具有第1Sn浓度和第1Pb浓度。上述第2部分区域具有低于上述第1Sn浓度的第2Sn浓度和高于上述第1Pb浓度的第2Pb浓度的至少任一者。上述第3部分区域包含Sn、氧和Pb。

根据上述构成的光电转换元件，可提供能改善特性的光电转换元件及其制造方法。

附图说明

图1为例示第1实施方式涉及的光电转换元件的示意性断面图。

图2为例示第1实施方式涉及的光电转换元件的电子显微镜照片图像。

图3(a)～图3(c)为例示第1实施方式涉及的光电转换元件的坐标图。

图4(a)和图4(b)为例示第1实施方式涉及的光电转换元件的坐标图。

图5(a)和图5(b)为例示第1实施方式涉及的光电转换元件的坐标图。

图6为例示第1实施方式涉及的光电转换元件的坐标图。

图7为例示光电转换元件的特性的坐标图。

图8为例示光电转换元件的特性的坐标图。

图9为例示第2实施方式涉及的光电转换元件的制造方法的流程图。

图10为例示在第2实施方式涉及的光电转换元件的制造方法中使用的涂布装置的示意性侧面图。

图11为例示与光电转换元件的制造方法有关的特性的坐标图。

附图标记说明

10…光电转换层，10G…晶粒，10a、10b…第1、第2面，11～14…第1～第4部分区域，21、22…第1、第2导电层，25…基体，31、32…第1、第2导电层侧中间层，50…被涂布体，55…涂布液，55M…弯液面，56…涂布膜，61…支撑部，62…涂布棒，63…涂布液供给部，64…气体，65…气体供给部，110…光电转换元件，310…涂布装置，AR1、AR2…箭头，Ab1…吸光度，BE1…结合能，C(O)、C(Pb)、C(Sn)…浓度，Int…强度，J1…电流密度，Pb1、Pb2…第1、第2Pb浓度，Rt1…比，Sn1、Sn2…第1、第2Sn浓度，V1…施加电压，dz…距离，m/z…质荷比，pZ…位置，t10～t14、t31、t32…厚度，vg1…流速

具体实施方式