[发明专利]半导体元件在审
申请号: | 202110987051.8 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113809048A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 王杰 | 申请(专利权)人: | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L23/538 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 361100 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 元件 | ||
1.一种半导体元件,包含:
基底,其上具有切割道区域;
监控图案,设置在所述切割道区域中,其中,所述监控图案包含嵌入第一介电层并且沿第一方向延伸的铜线段,其中,所述铜线段包含第一末端,其具有第一侧壁面、第二侧壁面和位于所述第一侧壁面与所述第二侧壁面之间的顶面;
第二介电层,覆盖所述第一介电层和所述铜线段;以及
狭缝开口,设置于所述第二介电层中并延伸至所述第一介电层中,从而暴露出所述铜线段的所述顶面、所述第一侧壁面及所述第二侧壁面。
2.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述狭缝开口沿与所述第一方向正交的第二方向延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述铜线段具有第二末端,其电耦合到电容器的上电极板。
4.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述铜线段具有第二末端,其电耦合到电感器。
5.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述铜线段为镶嵌铜导线。
6.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述第一介电层和所述第二介电层包含超低介电常数介电材料。
7.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述第一介电层与所述第二介电层之间设置有盖层。
8.根据权利要求7所述的半导体元件,其中,所述盖层包含掺杂氮碳材料层。
9.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述狭缝开口贯穿所述盖层。
10.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述铜线段的端面暴露在所述狭缝开口中。
11.一种半导体结构,包含:
基底;
第一介电层,设于所述基底上;
铜线段,嵌入所述第一介电层中并且沿第一方向延伸,其中,所述铜线段包含第一末端,其具有第一侧壁面、第二侧壁面和位于所述第一侧壁面与所述第二侧壁面之间的顶面;
第二介电层,覆盖所述第一介电层和所述铜线段;以及
狭缝开口,设置于所述第二介电层中并延伸至所述第一介电层中,从而暴露出所述铜线段的所述顶面、所述第一侧壁面及所述第二侧壁面。
12.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述狭缝开口沿与所述第一方向正交的第二方向延伸。
13.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述铜线段具有第二末端,其电耦合到电容器的上电极板。
14.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述铜线段具有第二末端,其电耦合到电感器。
15.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述铜线段为镶嵌铜导线。
16.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述第一介电层与所述第二介电层包含超低介电常数介电材料。
17.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述第一介电层与所述第二介电层之间设置有盖层。
18.根据权利要求17所述的半导体结构,其中,所述盖层包含掺杂氮碳材料层。
19.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述狭缝开口贯穿所述盖层。
20.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述铜线段的一端面暴露于所述狭缝开口中。
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