[发明专利]半导体元件在审

专利信息
申请号: 202110987051.8 申请日: 2021-08-26
公开(公告)号: CN113809048A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 王杰 申请(专利权)人: 联芯集成电路制造(厦门)有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L23/538
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 361100 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 半导体 元件
【权利要求书】:

1.一种半导体元件,包含:

基底,其上具有切割道区域;

监控图案,设置在所述切割道区域中,其中,所述监控图案包含嵌入第一介电层并且沿第一方向延伸的铜线段,其中,所述铜线段包含第一末端,其具有第一侧壁面、第二侧壁面和位于所述第一侧壁面与所述第二侧壁面之间的顶面;

第二介电层,覆盖所述第一介电层和所述铜线段;以及

狭缝开口,设置于所述第二介电层中并延伸至所述第一介电层中,从而暴露出所述铜线段的所述顶面、所述第一侧壁面及所述第二侧壁面。

2.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述狭缝开口沿与所述第一方向正交的第二方向延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述铜线段具有第二末端,其电耦合到电容器的上电极板。

4.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述铜线段具有第二末端,其电耦合到电感器。

5.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述铜线段为镶嵌铜导线。

6.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述第一介电层和所述第二介电层包含超低介电常数介电材料。

7.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述第一介电层与所述第二介电层之间设置有盖层。

8.根据权利要求7所述的半导体元件,其中,所述盖层包含掺杂氮碳材料层。

9.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述狭缝开口贯穿所述盖层。

10.根据权利要求1所述的半导体元件,其中,所述铜线段的端面暴露在所述狭缝开口中。

11.一种半导体结构,包含:

基底;

第一介电层,设于所述基底上;

铜线段,嵌入所述第一介电层中并且沿第一方向延伸,其中,所述铜线段包含第一末端,其具有第一侧壁面、第二侧壁面和位于所述第一侧壁面与所述第二侧壁面之间的顶面;

第二介电层,覆盖所述第一介电层和所述铜线段;以及

狭缝开口,设置于所述第二介电层中并延伸至所述第一介电层中,从而暴露出所述铜线段的所述顶面、所述第一侧壁面及所述第二侧壁面。

12.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述狭缝开口沿与所述第一方向正交的第二方向延伸。

13.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述铜线段具有第二末端,其电耦合到电容器的上电极板。

14.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述铜线段具有第二末端,其电耦合到电感器。

15.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述铜线段为镶嵌铜导线。

16.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述第一介电层与所述第二介电层包含超低介电常数介电材料。

17.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述第一介电层与所述第二介电层之间设置有盖层。

18.根据权利要求17所述的半导体结构,其中,所述盖层包含掺杂氮碳材料层。

19.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述狭缝开口贯穿所述盖层。

20.根据权利要求11所述的半导体结构,其中,所述铜线段的一端面暴露于所述狭缝开口中。

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