[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

基板，包含上表面、第一侧面、第二侧面相对该第一侧面、第三侧面连接该第一侧面及该第二侧面、以及第四侧面相对该第三侧面，其中，该上表面包含第一边连接该第一侧面、第二边相对该第一边并且连接该第二侧面、第三边连接该第三侧面以及第四边相对该第三边并且连接该第四侧面；

一水平方向平行该上表面以及一垂直方向垂直该上表面；

第一激光切痕，位于该第一侧面；以及

半导体叠层，位于该基板的该上表面上，其中，该半导体叠层包含下表面连接该基板的该上表面，该下表面包含第五边邻近该第一边以及第六边相对该第五边且邻近该第二边；其中，该第一边与第五边于该水平方向的距离为S1μm，该第二边与该第六边于该水平方向的距离为S2μm；

其中，自该第三侧面观之，该第一侧面与该垂直方向形成第一锐角，该第二侧面与该垂直方向形成第二锐角，该第一锐角的角度为θ1，该第二锐角的角度为θ2，该第一激光切痕于该垂直方向上与该上表面的距离为D1μm，且满足D1≤0.2×(S1+S2)/tanθa，其中，θa＝(θ1+θ2)/2。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，2°≤θa≤13°。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中，10≤D1≤60。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中S1S2，且0≤(S1-S2)/(S1+S2)≤0.4。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中，(S1-S2)≤7μm。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其中，自该第一侧面观之，该第三侧面与该垂直方向形成第三锐角，该第四侧面与该垂直方向形成第四锐角，其中，该第三锐角的角度为θ3，该第四锐角的角度为θ4，θb＝(θ3+θ4)/2，并且θbθa以及0°≤θb≤2°。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一边及该第二边的边长为X2μm，该第三边及该第四边的边长为X1μm，其中X2X1，以及50≤X1≤200，及/或该基板的厚度为50至200μm。

8.如权利要求1所述的半导体元件，还包含第二激光切痕，位于该第三侧面，其中，该第二激光切痕于该垂直方向上与该上表面的距离为D2μm，其中，D2≠D1。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该基板的材料为蓝宝石，该第一边及该第二边垂直蓝宝石m轴，及/或该第三边及该第四边垂直蓝宝石a轴。

10.如权利要求8所述的半导体元件，还包含第三激光切痕位于该第一侧面，其中，该第三激光切痕于该垂直方向上与该上表面的距离为D3μm，其中，D3D2D1。