[发明专利]半导体元件及其制造方法

说明书

本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中该半导体元件包含：基板，包含上表面及第一侧面至第四侧面，其中上表面包含第一边连接第一侧面及第二边连接第二侧面；第一激光切痕，位于第一侧面及第二侧面；以及半导体叠层位于基板的上表面上，其中半导体叠层包含下表面，下表面包含第五边邻近第一边以及第六边相对第五边且邻近第二边；其中，第一边与第五边的距离为S1μm，第二边与第六边的距离为S2μm；自第三侧面观之，第一侧面与垂直方向形成第一锐角，其角度为θ1，第二侧面与垂直方向形成第二锐角，其角度为θ2，第一激光切痕于垂直方向上与上表面的距离为D1μm，且满足D1≤0.2×(S1+S2)/tanθa，其中θa＝(θ1+θ2)/2。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，特别是涉及一种具有激光切割基板的半导体元件及其制造方法。

背景技术

随着科技的发展，III-V族半导体材料已可被制造成各种半导体元件，并广泛应用于照明、医疗、显示、通讯、感测、电源系统等领域。本发明即在提出一新颖的半导体元件及其制造方法以改善元件的良率。

发明内容

一种半导体元件，包括：一基板，包含一上表面、一第一侧面、一第二侧面相对第一侧面、一第三侧面连接第一侧面及第二侧面、以及一第四侧面相对第三侧面，其中，上表面包含一第一边连接第一侧面、一第二边相对第一边并且连接第二侧面、一第三边连接第三侧面以及一第四边相对第三边并且连接第四侧面；一水平方向平行上表面以及一垂直方向垂直上表面；一第一激光切痕，位于第一侧面及第二侧面；以及一半导体叠层，位于基板的上表面上，其中，半导体叠层包含一下表面连接基板的上表面，下表面包含一第五边邻近第一边以及一第六边相对第五边且邻近第二边；其中，第一边与第五边于水平方向的距离为S1μm，第二边与第六边于水平方向的距离为S2μm；其中，自第三侧面观之，第一侧面与垂直方向形成一第一锐角，其角度为θ1，第二侧面与垂直方向形成一第二锐角，其角度为θ2，第一激光切痕于垂直方向上与上表面的距离为D1μm，且满足D1≤0.2×(S1+S2)/tanθa，其中，θa＝(θ1+θ2)/2。

附图说明

图1A～图1D为本发明的半导体元件的一实施例，其中，图1A为半导体元件的上视示意图；图1B为半导体元件的第一侧面视图；图1C为半导体元件的第二侧面视图；图1D为半导体元件的第三侧面视图；

图2A～图2H为本发明的半导体元件的制造方法的示意图；

图3为本发明的半导体叠层的一实施例的示意图。

符号说明

100：基板

11、11’：切割道

100s、1000s：上表面

100s1：第一边

100s2：第二边

100s3：第三边

100s4：第四边

100a：第一侧面

100b：第二侧面

100c：第三侧面

100d：第四侧面

102：半导体叠层

102a：第一半导体层

102b：主动(有源)层

102c：第二半导体层

102s1：第五边

102s2：第六边

103：第一电极

104：第二电极