[发明专利]一种兰姆波器件及其制备方法在审
申请号: | 202110987508.5 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113676150A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 欧欣;房晓丽;郑鹏程;张师斌;张丽萍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/13;H03H9/17;H03H3/02 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;贾允 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 兰姆波 器件 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及微电子器件技术领域,本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构;该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层;该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极;该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对,且存在预设距离;该第一叉指电极设于该第一总线上;该第二叉指电极设于该第二总线上;该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。
技术领域
本发明涉及微电子器件技术领域,特别涉及一种兰姆波器件及其制备方法。
背景技术
随着移动通信技术的发展,5G时代所使用的电磁波频段将继续向着高频、大带宽发展。
兰姆波器件是声波滤波器的基本单元,现有技术中的兰姆波器件能够利用压电薄板中具有较高声速和较大机电耦合系数的板波模式,可制备高频大带宽的声学滤波器,因此受到了广泛关注。但现有技术中的兰姆波器件仍存在杂散模式(例如零阶水平剪切波、零阶对称型兰姆波及其高阶响应)响应大,进而影响主模式(例如,一阶反对称型兰姆波),造成无法更好地实现目标声学模式。
发明内容
本发明要解决的是现有技术中兰姆波器件杂散模式响应大的技术问题。
为解决上述技术问题,本申请在一方面公开了一种兰姆波器件,其包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构;
该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层;
该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极;
该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对,且存在预设距离;
该第一叉指电极设于该第一总线上;
该第二叉指电极设于该第二总线上;
该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。
可选的,该第一叉指电极包括至少两个间隔设置的上叉指电极;
该第二叉指电极包括至少两个间隔设置的下叉指电极;
相邻的两个该上叉指电极之间置有一个该下叉指电极;
相邻的该上叉指电极与该下叉指电极之间的距离相等。
可选的,该第一叉指电极包括第一上叉指电极和第二上叉指电极;
该第一上叉指电极设于该第一总线的第一端,且该第一上叉指电极的形状为圆环;该第二上叉指电极的形状为具有开口的圆环,该第二上叉指电极的开口形成放置该第二总线的通道;
该第二上叉指电极的直径大于该第一上叉指电极的直径,且该第一上叉指电极位于该第二上叉指电极内;
该第二叉指电极包括第一下叉指电极和第二下叉指电极;
该第一下叉指电极设于该该第二总线的第一端,且该第一下叉指电极的形状和该第二下叉指电极的形状为具有开口的圆环,该第一下叉指电极的开口和该第二下叉指电极的开口形成放置该第一总线的通道;
该第二下叉指电极的直径大于该第一下叉指电极的直径,且该第一下叉指电极位于该第二下叉指电极内;
该第一下叉指电极位于该第一上叉指电极和第二上叉指电极之间。
可选的,该压电薄膜的厚度小于0.5p,该p为相邻的该上叉指电极与该下叉指电极之间的距离。
可选的,该压电薄膜的晶体切型为Z切;
该压电薄膜的材料包括铌酸锂或者钽酸锂。
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