[发明专利]器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备

说明书

本发明公开了一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在第一漏电值与第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者第一耐压值与第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定目标器件为不合格器件。本发明解决了器件性能测试效率低的技术问题。

技术领域

本发明涉及测试领域，具体而言，涉及一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备。

背景技术

现有技术中，在对半导体器件进行测试的过程中，通常，需要获取半导体的击穿(Breakdown voltage，简称为BV)曲线，从而通过击穿曲线查看半导体器件是否为合格产品。然而，击穿曲线的获取需要消耗大量的时长，每测试一个器件都要获取该器件的击穿曲线，造成对器件的测试效率低。

发明内容

本发明实施例提供了一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备，以至少解决对半导体器件进行测试时，测试效率低的技术问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种器件性能测试方法，包括：获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在上述第一漏电值与上述第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者上述第一耐压值与上述第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定上述目标器件为不合格器件。

根据本发明实施例的另一方面，提供了一种器件性能测试装置，包括：第一获取单元，用于获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；第一确定单元，用于在上述第一漏电值与上述第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者上述第一耐压值与上述第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定上述目标器件为不合格器件。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第二获取单元，用于在获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值或者在获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值之前，获取第一器件的电压电流曲线，其中，上述电压电流曲线记录有上述第一器件在不同的电压下的漏电值和不同电流下的耐压值，上述第一器件为预先检测为合格的器件。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第二确定单元，用于在获取第一器件的电压电流曲线之后，在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值，其中，上述击穿值对应上述电压电流曲线上的一个点，包括击穿电压和击穿电流，在上述第一器件的电压等于上述击穿电压的情况下，上述第一器件的漏电值大于上述击穿电流，在上述第一器件的电流大于或等于上述击穿电流的情况下，上述第一器件的耐压值等于上述击穿电压。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第三获取单元，用于在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值之后，获取上述电压电流曲线上小于上述击穿电压的两个不同的电压值；第三确定单元，用于将上述两个不同的电压值分别确定为上述第一电压和上述第二电压。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第四获取单元，用于在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值之后，获取上述电压电流曲线上大于上述击穿电流的两个不同的电流值；第四确定单元，用于将上述两个不同的电流值分别确定为上述第一电流和上述第二电流。

根据本发明实施例的又一方面，还提供了一种存储介质，该存储介质中存储有计算机程序，其中，该计算机程序被设置为运行时执行上述器件性能测试方法。

根据本发明实施例的又一方面，还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，上述存储器中存储有计算机程序，上述处理器被设置为通过上述计算机程序执行上述的器件性能测试方法。